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臺(tái)積電Q2獲利挑戰(zhàn)400億元

市場(chǎng)景氣自去年下半年已進(jìn)入復(fù)蘇期，但I(xiàn)DM廠關(guān)廠的「產(chǎn)能縮減效應(yīng)」才剛開(kāi)始發(fā)酵。在整合組件制造（IDM）廠擴(kuò)大委外代工，及IC設(shè)計(jì)業(yè)者市占率提升等雙重效應(yīng)加持下，臺(tái)積電接單持續(xù)暴增，第2季晶圓出貨量將季增15

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2010-04-12

臺(tái)積電 DM 晶圓代工 OV
新聞分析－受惠IDM廠委外今明兩年吃飽飽

IDM廠近幾年來(lái)持續(xù)縮減自有晶圓廠產(chǎn)能，同時(shí)也停止了先進(jìn)制程的自行研發(fā)，改與晶圓代工廠合作。盡管趨勢(shì)是從2006年就開(kāi)始，但這段時(shí)間IDM廠的委外動(dòng)作一直不如預(yù)期中快速，直到2008年底金融海嘯爆發(fā)后，才終于明白要

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2010-04-12

先進(jìn)制程臺(tái)積電 DM 晶圓代工
R&S將展示先進(jìn)的射頻微波與電磁兼容的測(cè)試解決方案

在2010年4月13至15日北京國(guó)際會(huì)議中心舉辦的第十五屆國(guó)際電磁兼容技術(shù)交流展覽會(huì)上，R&S公司將展示其全面領(lǐng)先的射頻微波與電磁兼容的測(cè)試解決方案。羅德與施瓦茨公司作為世界頂級(jí)的EMC測(cè)試儀器、測(cè)試系統(tǒng)及方案

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2010-04-12

測(cè)試解決方案測(cè)試系統(tǒng) 電磁兼容射頻微波
基于EL509×16 SEPP OTL 150W+150W的立體聲功率放大器工原理及電路圖

電子束力管EL509之4個(gè)并隊(duì)列連接的SEPP輸出級(jí)，是用身體單元兜風(fēng)DCpower amplifier。主人AC100v線起源年，大的由于省卻了起源變壓器的事是輕量緊湊,不過(guò)，低的陽(yáng)極壓也高效率低失真根據(jù)做作品的Ip+Isg方式，8Ω由

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2010-04-10

功率放大器電路圖立體聲 SE
英偉達(dá):與臺(tái)積電合作更緊密

繪圖芯片大廠英偉達(dá)（NVIDIA）日昨在美國(guó)舉行分析師日（Analyst Day），執(zhí)行長(zhǎng)黃仁勛提及，雖然NVIDIA已推出最新款繪圖芯片F(xiàn)ermi，但仍無(wú)法滿足市場(chǎng)需求，高階繪圖芯片供貨依然不足，希望能夠取得更多臺(tái)積電40奈米制

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2010-04-10

NVIDIA 芯片英偉達(dá) 臺(tái)積電
AMD因拆分GlobalFoundries獲益3.25億美元

AMD在今天提交給美國(guó)證券交易委員會(huì)的一份審計(jì)文件中表示，因?yàn)閷⒅圃鞓I(yè)務(wù)拆分為GlobalFoundries Inc.并終止合并報(bào)表，AMD獲得了3.25億美元的一次性非現(xiàn)金收益，這筆收益將會(huì)計(jì)入AMD的季度財(cái)報(bào)。 GlobalFoundri

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2010-04-10

半導(dǎo)體 AMD GLOBALFOUNDRIES
臺(tái)積電Q1財(cái)報(bào)可達(dá)陣

臺(tái)股財(cái)報(bào)周即將開(kāi)跑，外資圈最大焦點(diǎn)將鎖定臺(tái)積電（2330），根據(jù)摩根大通證券半導(dǎo)體分析師J.J.Park的預(yù)估，臺(tái)積電第一季包括產(chǎn)能利用率94％、毛利率48％、營(yíng)業(yè)利率 36％、凈利314億元、每股獲利1.21元等，都將達(dá)到臺(tái)

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2010-04-10

半導(dǎo)體移動(dòng) VIEW 臺(tái)積電
聯(lián)電1Q營(yíng)收季減3.7%　第2季營(yíng)運(yùn)看俏

晶圓代工廠聯(lián)華電子自結(jié)3月?tīng)I(yíng)收為新臺(tái)幣94.80億元，逼近2009年第3季單月高點(diǎn)，較2009年同期倍增，也比上個(gè)月成長(zhǎng)9.79%；累計(jì)第1季營(yíng)收為267.15億元，季減約3.7%，表現(xiàn)如先前所預(yù)期淡季不淡。展望第2季，市場(chǎng)熱度未減

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2010-04-09

芯片聯(lián)電臺(tái)積電晶圓代工
華東加碼擴(kuò)產(chǎn)　董事會(huì)通過(guò)4.15億元買彩晶廠房

由于DRAM產(chǎn)能吃緊，為能迅速滿足客戶需求，內(nèi)存封測(cè)廠華東科技8日董事會(huì)通過(guò)決議，將以新臺(tái)幣4.15億元購(gòu)買彩晶在高雄加工出口區(qū)內(nèi)的閑置廠房，預(yù)計(jì)第4季就會(huì)加入生產(chǎn)，并挹注部分營(yíng)收，屆時(shí)營(yíng)運(yùn)將達(dá)到最高峰，呈現(xiàn)全

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2010-04-09

DRAM 內(nèi)存
提升效率　太陽(yáng)能硅晶圓廠積極導(dǎo)入鉆石切割開(kāi)方制程

為了因應(yīng)供不應(yīng)求的太陽(yáng)能現(xiàn)況及考慮到未來(lái)的競(jìng)爭(zhēng)力，臺(tái)系太陽(yáng)能硅晶圓大廠包括綠能、中美硅晶等積極導(dǎo)入新制程，尤其在切晶錠部分，近期相關(guān)廠商紛紛投入鉆石切割開(kāi)方制程(diamond square)，預(yù)計(jì)可提升原制程30~40%

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2010-04-09

太陽(yáng)能晶圓廠硅晶圓 DIAMOND
淡季不淡臺(tái)積電世界Q1業(yè)績(jī)攀升

晶圓代工業(yè)第1季產(chǎn)業(yè)景氣淡季不淡，臺(tái)積電 (2330)及世界先進(jìn)(5347)第1季業(yè)績(jī)同步較去年第4季攀升；其中，臺(tái)積電第1季營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)優(yōu)于預(yù)期，世界則符合預(yù)期。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣旺，晶圓代工廠3月業(yè)績(jī)同步隨著工作天數(shù)回

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2010-04-09

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 聯(lián)電臺(tái)積電晶圓代工
5.6GHz CMOS低噪聲放大器設(shè)計(jì)

摘要：分析了一種射頻COMS共源-共柵低噪聲放大器的設(shè)計(jì)電路，采用TSMC 90nm低功耗工藝實(shí)現(xiàn)。仿真結(jié)果表明：在5．6GHz工作頻率，電壓增益約為18．5dB；噪聲系數(shù)為1．78dB；增益1dB壓縮點(diǎn)為-21．72dBm；輸入?yún)⒖既A交

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2010-04-09

低噪聲放大器放大器設(shè)計(jì) CMOS HZ
高線性度小型雙通道16位800MSPS內(nèi)插DAC（TI）

德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 200 MHz 下提供 75 dBc 三階互調(diào)失真 (IMD3) 的 16 位 800 MSPS 內(nèi)插數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC)。該 DAC3283 采用 7 毫米 x 7 毫米 QFN 封裝，同時(shí)也是同類最小的 DAC，從而可為無(wú)線通信、軟件

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2010-04-09

雙通道線性 DAC
力晶半導(dǎo)體董事長(zhǎng)預(yù)計(jì)2010年DRAM芯片價(jià)格持穩(wěn)

據(jù)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》周四援引力晶半導(dǎo)體股份有限公司(PowerchipSemiconductorCo.,)董事長(zhǎng)黃崇仁(FrankHuang)的話稱，由于供應(yīng)吃緊，DRAM芯片價(jià)格將繼續(xù)持穩(wěn)，至少在2010年年內(nèi)是如此。報(bào)導(dǎo)援引黃崇仁的話稱，力晶半導(dǎo)

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2010-04-09

半導(dǎo)體 RC CHIP DRAM芯片
我國(guó)將制訂物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃

工業(yè)和信息化部科技司司長(zhǎng)聞庫(kù)近日表示，目前中國(guó)物聯(lián)網(wǎng)總體還處于起步階段，為推進(jìn)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，將采取四大措施支持電信運(yùn)營(yíng)企業(yè)開(kāi)展物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用。這些措施包括：突破物聯(lián)網(wǎng)關(guān)鍵核心技術(shù)，實(shí)現(xiàn)科技創(chuàng)新

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2010-04-09

RFID 物聯(lián)網(wǎng) 傳感網(wǎng) 傳感器網(wǎng)

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臺(tái)積電Q2獲利挑戰(zhàn)400億元

新聞分析－受惠IDM廠委外今明兩年吃飽飽

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英偉達(dá):與臺(tái)積電合作更緊密

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提升效率　太陽(yáng)能硅晶圓廠積極導(dǎo)入鉆石切割開(kāi)方制程

淡季不淡臺(tái)積電世界Q1業(yè)績(jī)攀升

5.6GHz CMOS低噪聲放大器設(shè)計(jì)

高線性度小型雙通道16位800MSPS內(nèi)插DAC（TI）

力晶半導(dǎo)體董事長(zhǎng)預(yù)計(jì)2010年DRAM芯片價(jià)格持穩(wěn)

我國(guó)將制訂物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃

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