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  • 3．7 GHz寬帶CMOS LC VCO的設(shè)計(jì)

    設(shè)計(jì)了一款3．7 GHz寬帶CMOS電感電容壓控振蕩器。采用了電容開關(guān)的技術(shù)以補(bǔ)償工藝、溫度和電源電壓的變化，并對(duì)片上電感和射頻開關(guān)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)以得到最大的Q值。電路采用和艦0．18 μm CMOS混合信號(hào)制造工藝，芯片面積為0．4 mm×1 mm。測(cè)試結(jié)果顯示，芯片的工作頻率為3．4~4 GHz，根據(jù)輸出頻譜得到的相位噪聲為一100 dBc／Hz@1 MHz，在1．8V工作電壓下的功耗為10 mW。測(cè)試結(jié)果表明，該VCO有較大的工作頻率范圍和較低的相位噪聲性能，可以用于鎖相環(huán)和頻率合成器。

    模擬
    2009-04-20
    CMOS 寬帶 HZ BSP

  • DC～40 GHz反射型GaAs MMIC SPST開關(guān)

    介紹了基于GaAs PHEMT工藝設(shè)計(jì)的一款寬帶反射型MMIC SPST開關(guān)的相關(guān)技術(shù)，基于成熟的微波單片集成電路設(shè)計(jì)平臺(tái)開展了寬帶SPST開關(guān)設(shè)計(jì)。工作頻率范圍為DC~40 GHz，插入損耗≤0．8 dB，隔離度≥25 dB，駐波比≤1．4：l。同時(shí)，對(duì)電路的通孔特性進(jìn)行了分析，對(duì)電路設(shè)計(jì)流程進(jìn)行了闡述。要獲得期望帶寬的開關(guān)，如何選擇控制器件的通孔連接方式，以及通孔數(shù)量對(duì)插入損耗等性能的影響。最終，具有小尺寸和優(yōu)異微波性能的GaAs微波單片集成單刀單擲開關(guān)電路成功開發(fā)。

  • 多功能電力儀表計(jì)量芯片

    介紹了SA9904B，ATT7026A及CS5463等三相高精度電能計(jì)量芯片的原理，比較了芯片的性能指標(biāo)。SA9904B提供有功、無功電能，但不提供視在功率和相角等參數(shù)；ATT7026A提供各分相、合相參數(shù)，但不具有中斷功能；CS5463不但提供各種計(jì)量參數(shù)，且具有中斷，更有低于12 mW的超低功耗。

  • 基于地磁測(cè)量的彈體滾轉(zhuǎn)角測(cè)量系統(tǒng)設(shè)計(jì)

    利用多個(gè)微脈沖發(fā)動(dòng)機(jī)進(jìn)行彈道修正是提高武器系統(tǒng)射擊精度的有效手段。而脈沖發(fā)動(dòng)機(jī)的點(diǎn)火策略是以彈體的滾轉(zhuǎn)角測(cè)量為基礎(chǔ)。選用MR作為磁測(cè)量元件，設(shè)計(jì)了基于地磁測(cè)量的彈體滾轉(zhuǎn)角測(cè)量系統(tǒng)。對(duì)系統(tǒng)的精度、實(shí)時(shí)性進(jìn)行了分析；給出了初步的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)仿真結(jié)果。結(jié)果表明：利用該系統(tǒng)測(cè)量彈體的滾轉(zhuǎn)角是可行的．但測(cè)量精度較低，必須進(jìn)行必要的誤差補(bǔ)償研究。

  • 上海打造垂直一體化光伏百億元產(chǎn)業(yè)鏈

    為促進(jìn)航天技術(shù)應(yīng)用產(chǎn)業(yè)發(fā)展，占領(lǐng)新能源產(chǎn)業(yè)的制高點(diǎn)，上海將著力打造垂直一體化光伏百億元產(chǎn)業(yè)鏈。這一重要新能源項(xiàng)目由上海航天局負(fù)責(zé)實(shí)施。上海航天局局長(zhǎng)朱芝松16日在此間介紹，根據(jù)目標(biāo)，到2015年，上海航天局

  • 美國(guó)ASP公司增加單晶硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線

    Advanced Solar Photonics(ASP)公司，一個(gè)為光伏產(chǎn)業(yè)開發(fā)的激光劃線，雕刻，制絨和切邊系統(tǒng)的制造商，在先前宣布的佛羅里達(dá)州瑪麗湖程的SolarFabT項(xiàng)目基礎(chǔ)上，又增加了產(chǎn)品生產(chǎn)線，不僅包括薄膜電池，還增加了單晶硅

  • 2008年MCU市場(chǎng)廠商TOP10排名 瑞薩市占最高

    2 008年MCU市場(chǎng)廠商TOP10排名 瑞薩市占最高 根據(jù)databean統(tǒng)計(jì)資料，2008年MCU市場(chǎng)以瑞薩(Renesas)做穩(wěn)第1名寶座，市佔(zhàn)率高達(dá)20.1%，排名第2的飛思卡爾(Freescale)則佔(zhàn)11%，至于第3與第4的NEC與富士通(Fujitsu)則分別

    模擬
    2009-04-17
    Atmel MCU TOP P10

  • IBM聯(lián)手合作伙伴開發(fā)28納米芯片

    北京時(shí)間4月16日消息，據(jù)報(bào)道，IBM、三星、意法半導(dǎo)體及其他幾家公司正在聯(lián)手開發(fā)體積更小、能耗更低的芯片。 IBM及其合作伙伴宣布，已經(jīng)開發(fā)了28納米芯片技術(shù)，比英特爾和AMD目前正在使用的45nm技術(shù)更加先進(jìn)。IBM發(fā)

  • 臺(tái)積電訂單能見度到6月 重啟12寸廠擴(kuò)充腳步

    受大陸家電下鄉(xiāng)刺激，臺(tái)積電、世界先進(jìn)與聯(lián)電8寸廠產(chǎn)能利用率急拉，臺(tái)積電擴(kuò)充12寸廠腳步也重新啟動(dòng)，上游硅晶圓供貨商表示，近期明顯感受到8寸硅晶圓產(chǎn)能供不應(yīng)求，據(jù)了解MEMC目前8寸硅晶圓產(chǎn)能呈現(xiàn)滿載。半導(dǎo)體業(yè)者

  • iPhone將給三星帶來大筆NAND訂單

    NAND閃存價(jià)格上漲,需求在攀升，至少對(duì)于某些廠商來說是這樣。在NAND市場(chǎng)略有反彈之際，市場(chǎng)中的初步贏家似乎是韓國(guó)的三星(Samsung)電子。 Lazard Capital Markets的分析師Daniel Amir最近在報(bào)告中表示：“我們了解到

  • 集成專用驅(qū)動(dòng)器在開關(guān)電源中的應(yīng)用

    介紹了開關(guān)電源中驅(qū)動(dòng)部分的工作情況，集中說明了柵極專用驅(qū)動(dòng)器IR2110的使用方法及其抗干擾措施。由于IR2110本身的缺陷，常規(guī)使用方法只能適合小功率場(chǎng)合，在中大功率場(chǎng)合根本無法使用。

  • 集成專用驅(qū)動(dòng)器在開關(guān)電源中的應(yīng)用

    ADSL接入技術(shù)已成為終端用戶最主要的寬帶接入技術(shù)。ADSL技術(shù)的關(guān)鍵是ADSL調(diào)制解調(diào)器，即ADSLMODEM。ADSL用戶端調(diào)制解調(diào)器驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)寬頻帶功率放大器，他能不失真放大和傳輸電話線上已編碼的數(shù)字信號(hào)。本文通過對(duì)ADSL調(diào)制解調(diào)器驅(qū)動(dòng)器特點(diǎn)、結(jié)構(gòu)和性能的分析，給出了一種ADSL用戶端MODEM驅(qū)動(dòng)器的實(shí)現(xiàn)電路。

  • 微波pin二極管電阻與溫度的關(guān)系

    研究了四種pin二極管電阻的溫度特性。結(jié)果表明二極管結(jié)面積的大小，也就是二極管結(jié)電容的大小，影響著二極管的表面復(fù)合和二極管的載流子壽命，決定了二極管的溫度性能。器件的鈍化方式和幾何結(jié)構(gòu)對(duì)二極管電阻的溫度性能影響不大。結(jié)電容為0．1～1．0 pF的微波二極管，具有正的溫度系數(shù)，約為線性關(guān)系，結(jié)電容越大，電阻隨溫度變化越大。研究結(jié)果可以用來預(yù)測(cè)pin二極管開關(guān)和衰減器的溫度性能，進(jìn)一步可以應(yīng)用于電路溫度補(bǔ)償設(shè)計(jì)。

  • LED光源在礦井工作面照明燈中的應(yīng)用

    對(duì)目前我國(guó)煤礦用燈作了簡(jiǎn)單的介紹，指出了煤礦用燈的發(fā)展方向應(yīng)為節(jié)能、本質(zhì)安全型；闡述了采煤工作面本質(zhì)安全型LED照明燈應(yīng)該具備的條件，分析了LED的發(fā)光機(jī)理。通過光譜分析，得出了LED在實(shí)際照明應(yīng)用中散熱的重要性；介紹了LED燈的一次散熱方法及二次散熱方法；對(duì)LED燈隔爆兼本安驅(qū)動(dòng)電路作了設(shè)計(jì)并對(duì)小功率LED燈進(jìn)行了合理的排列，結(jié)果表明隔爆兼本質(zhì)安全型LED照明燈在采煤工作面是完全可以應(yīng)用并具備廣泛發(fā)展前景的。

  • 8 bit 800 Msps高速采樣保持電路的設(shè)計(jì)

    為適應(yīng)目前無線通信領(lǐng)域?qū)Ω咚貯／D轉(zhuǎn)換器的要求，采用在Cadence Spectre環(huán)境下進(jìn)行仿真驗(yàn)證的方法，對(duì)高速A／D前端采樣保持電路進(jìn)行了研究。提出的高速采樣保持電路(SH)采用SiGe BiCMOS工藝設(shè)計(jì)，該工藝提供了0．35μm的CMOS和46 GHz fT的SiGe HBT?；贐iCMOS開關(guān)射極跟隨器(SEF)的SH，旨在比二極管橋SH消耗更少的電流和面積。在SH核心，電源電壓3．3 V，功耗44 mW。在相干采樣模式下，時(shí)鐘頻率為800 MHz時(shí)，其無雜波動(dòng)態(tài)范圍(SFDR)為一52．8 dB，總諧波失真(THD)為一50．4 dB，滿足8 bit精度要求。結(jié)果顯示設(shè)計(jì)的電路可以用于中精度、高速A／D轉(zhuǎn)換器。

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