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利用高性能模擬器件簡(jiǎn)化便攜式醫(yī)療設(shè)備設(shè)計(jì)

目前，醫(yī)療電器 OEM廠商正在開發(fā)技術(shù)含量更高的、用于治療和監(jiān)控常見疾病的個(gè)人保健設(shè)備。這些產(chǎn)品價(jià)格合理，極大提高了醫(yī)療保健質(zhì)量。MCU在家用血壓計(jì)、肺活量計(jì)、脈搏血氧計(jì)及心率監(jiān)測(cè)器等便攜式醫(yī)療設(shè)備中起著重要

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2009-02-16

便攜式醫(yī)療高性能模擬醫(yī)療設(shè)備模擬器件
本土D類音頻功放攻下中國(guó)手機(jī)市場(chǎng)的半壁江山

據(jù)美國(guó)權(quán)威分析機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2007年-2010年間，的全球市場(chǎng)以每年10%左右的比例穩(wěn)步攀升，達(dá)到2億5千萬美元以上規(guī)模。有趣的是，其中全球大中華地區(qū)的ODM產(chǎn)品將實(shí)現(xiàn)2倍以上的強(qiáng)勁增長(zhǎng)，達(dá)2億美元的年出貨量。與此相輔相成

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2009-02-13

手機(jī)市場(chǎng) SSD DM D類音頻功放
Power Integrations與 BCD Semiconductor的專利訴訟達(dá)成和解

2009年2月11日加州圣何塞消息–用于高能效功率轉(zhuǎn)換的高壓集成電路領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)廠商Power Integrations （納斯達(dá)克代號(hào)：POWI）今天宣布，公司已經(jīng)同意與BCD Semiconductor的專利訴訟中提出的和解條件。根據(jù)和解條

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2009-02-13

BCD POWER SEMICONDUCTOR INTEGRATIONS
BCD和PI就專利訴訟案達(dá)成和解

　BCD Semiconductor Manufacturing Limited(簡(jiǎn)稱BCD)是一家位于大中華區(qū)，首屈一指的模擬信號(hào)制造商（IDM），從事電源管理集成電路產(chǎn)品的設(shè)計(jì)研發(fā)、工藝制造和銷售。BCD日前與Power Integrations（簡(jiǎn)稱PI）就一項(xiàng)達(dá)

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2009-02-13

PI BCD INTEGRATIONS LIMIT
英特爾計(jì)劃投資70億美元升級(jí)美國(guó)工廠

2月11日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾CEO歐德寧周二表示，公司將在未來2年里投資70億美元，在美建造先進(jìn)的制造工廠，工廠將采用最先進(jìn)的32納米制造工藝。這也是英特爾歷史上為單一制造工藝投入的最大一筆資金，從200

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2009-02-12

英特爾制造工藝納米技術(shù) STM
Qimonda關(guān)廠減產(chǎn)雙管齊下力保46nm Buried Wordline技術(shù)開發(fā)

處于水深火熱之中的德國(guó)DRAM芯片制造商Qimonda宣布將在Dresden工廠中削減25%的產(chǎn)能。該公司表示，這樣做是為了應(yīng)對(duì)糟糕的市場(chǎng)，減少虧損以保護(hù)資金流動(dòng)性。 Qimonda在早些市場(chǎng)也已宣布關(guān)閉Virginia的300mm工廠。在

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2009-02-12

芯片制造商 NI ESD VI
NAND Flash品牌廠商2008年?duì)I收排名出爐三星蟬聯(lián)榜首

2008年第四季全球NANDFlash品牌廠商整體營(yíng)收為22億2千7百萬美元，較上一季的27億6千1百萬美元下跌19.3%。2008年第四季NANDFlash品牌廠商營(yíng)收均呈現(xiàn)衰退，由于持續(xù)受到全球總體經(jīng)濟(jì)表現(xiàn)疲弱的沖擊，全球消費(fèi)者信心指數(shù)

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2009-02-12

三星 Flash NAND NANDFLASH
業(yè)界最低功耗高速全差動(dòng)放大器（TI）

日前，德州儀器 (TI) 宣布推出可針對(duì)單通道與多通道逐次逼近寄存器 (SAR) 與 Δ-Σ 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 實(shí)現(xiàn)最高精度數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換的新型全差動(dòng)放大器產(chǎn)品系列，能夠滿足工業(yè)、醫(yī)療以及音頻等各種應(yīng)用的需求。THS4521、THS4

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2009-02-12

低功耗差動(dòng)放大器 BSP
新型Bulk Metal箔表面貼裝電阻（Vishay）

Vishay Intertechnology, Inc.目前推出采用 Bulk Metal® 箔技術(shù)制造的多款表面貼裝電阻，以實(shí)現(xiàn)最高端領(lǐng)域?qū)ζ骷呖煽啃院透叻€(wěn)定性的嚴(yán)苛要求。這次發(fā)布的器件中，包括新改進(jìn)的 VSMP（0805 至 2512）系列、及VC

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2009-02-12

器件電阻 Vishay METAL
英飛凌擴(kuò)大面向可再生能源和傳統(tǒng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的功率模塊生產(chǎn)

英飛凌科技股份公司在其位于德國(guó)慕尼黑Neubiberg的總部宣布，該公司正在擴(kuò)建其位于匈牙利Cegléd的生產(chǎn)工廠，以滿足日益增長(zhǎng)的對(duì)于可再生能源和傳統(tǒng)系統(tǒng)的需求。從現(xiàn)在開始到2012年，公司將投資近1,700萬歐元用

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2009-02-12

英飛凌功率模塊可再生能源電機(jī)驅(qū)動(dòng)
全新電流/數(shù)字轉(zhuǎn)換器（ADI）

Analog Devices, Inc.（ADI）最新推出一款全新的電流/數(shù)字轉(zhuǎn)換器芯片—— ADAS1128，它使得高層數(shù)CT系統(tǒng)能夠以高精度和豐富信息量捕獲實(shí)時(shí)移動(dòng)圖像（如跳動(dòng)的心臟）。CT（計(jì)算機(jī)斷層掃描）掃描的應(yīng)用隨著技術(shù)進(jìn)步正在

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2009-02-11

電流數(shù)字轉(zhuǎn)換器 ADAS ADI
愛立信攜手意法半導(dǎo)體出擊手機(jī)芯片領(lǐng)域

在手機(jī)芯片領(lǐng)域，愛立信和意法半導(dǎo)體(ST)選擇了攜手出擊。兩家公司日前宣布，已完成愛立信手機(jī)平臺(tái)與ST-NXP Wireless 的整合，成立雙方各持股50%的合資公司。在業(yè)界看來，此合資公司的成立，將對(duì)高通的霸主地位形成挑

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2009-02-11

愛立信手機(jī)芯片芯片領(lǐng)域意法半導(dǎo)體
聯(lián)電CEO:Q1將為公司運(yùn)營(yíng)谷底今年不配發(fā)股利

2月11日，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，繼臺(tái)積電CEO蔡力行指出，首季運(yùn)營(yíng)可能是谷底后，聯(lián)電CEO孫世偉昨在股東說明會(huì)上進(jìn)一步表示：“近期從公司內(nèi)部的定單及出貨情況來看，定單有改善且有急單出現(xiàn)，客戶信心逐漸恢復(fù)，但急單是不

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2009-02-11

聯(lián)電發(fā)光二極管臺(tái)積電 CE
英特爾投資70億美元升級(jí)32納米芯片技術(shù)

2月11日消息，英特爾計(jì)劃在未來兩年里投資70億美元升級(jí)其在美國(guó)的工廠。這個(gè)跡象表明經(jīng)濟(jì)衰退還沒有消滅芯片廠商追求高級(jí)設(shè)備的欲望。英特爾首席執(zhí)行官歐德寧本周二在華盛頓的講話中宣布的這個(gè)投資表明半導(dǎo)體行業(yè)需

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2009-02-11

英特爾芯片技術(shù) AMD 納米芯片
移相全橋變換器的建模與仿真

本文主要是通過Buck變換器推導(dǎo)出移相全橋變換器的小信號(hào)電路模型，接著用MATLAB軟件進(jìn)行仿真，來判斷系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

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2009-02-11

移相全橋全橋變換器 BSP 建模與仿真

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