通常,許多資料和教材都認為,MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù),因此可以并聯(lián)工作。當其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時,具有正的溫度系數(shù)導(dǎo)通電阻也增加,因此流過的電流減小,溫度降低,從而實現(xiàn)自動的均流達到平衡。同樣對于一個功率MOSFET器件,在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成,晶胞的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù),因此并聯(lián)工作沒有問題。但是,當深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對其傳輸特性的影響,以及各個晶胞單元等效電路模型,就會發(fā)現(xiàn),上述的理論只有在MOSFET進入穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通的狀態(tài)下才能成立,而在開關(guān)轉(zhuǎn)化的瞬態(tài)過程中,上述理論并不成立,因此在實際的應(yīng)用中會產(chǎn)生一些問題,本文將詳細地論述這些問題,以糾正傳統(tǒng)認識的局限性和片面性。
就在不久之前,大多數(shù)微波電容器還都基于多層陶瓷燒制技術(shù)。在生產(chǎn)過程中,多層高導(dǎo)電性的金屬合金電極層和低損耗的陶瓷絕緣層交錯排列,從而得到所需要的電容值。然后,將合成的疊層進行高溫?zé)?,將其燒結(jié)成單片結(jié)構(gòu)。這一工藝目前仍然很好地滿足大容量射頻電容器以及大功率電容器的需要。
厚膜和薄膜技術(shù)的最近發(fā)展可以在給定的芯片尺寸上實現(xiàn)更高的額定功率。眾所周知,與厚膜電阻元件相比,薄膜電阻元件具有眾多性能優(yōu)勢,而厚膜電阻器唯一的明顯優(yōu)勢就是成本。
目前主要有兩種實現(xiàn)電阻型分壓器的方式:通過將兩個分立的片狀電阻連接到公共端,或者通過使用分壓器封裝在內(nèi)部的電阻網(wǎng)絡(luò)進行連接。你所選擇的類型可能會對分壓器的性能有很大的影響。
隨著2009年9月18號北京分會場上最后一個幸運聽眾的產(chǎn)生,為期2周的第八屆電源研討會勝利閉幕了。本次研討會在北京、上海、深圳、武漢、西安和成都六地均設(shè)有分會場,演講場次達60余場,參會人數(shù)超過3000人,會議規(guī)
0 引 言 賈卡經(jīng)編機賈卡裝置自1884年問世以來,已從機械式發(fā)展到電磁式和現(xiàn)在的壓電式,即Piezo賈卡系統(tǒng),徹底改變了賈卡裝置需要通絲、移位針等繁雜部件的特點,使賈卡經(jīng)編機提花部分的機構(gòu)大大簡化,速度有
0 引 言 系統(tǒng)由真空泵電動機和油泵電動機各一臺組成,要求用單片機完成管道壓力檢測和油箱溫度控制。用壓力傳感器采集數(shù)據(jù)并送單片機處理。系統(tǒng)采用兩組加熱管加熱,每組功率為24 kW。用溫度傳感器采集數(shù)據(jù)并
0 引 言 隨著經(jīng)濟的迅速發(fā)展,社會上汽車的數(shù)量大幅度上升。同時,偷車案例數(shù)量也在逐年大幅增長。事實上,汽車完全可以通過安裝報警器使竊賊無機可乘。然而,早期的車用報警器功能單一,誤報率比較高,噪音大
自20世紀70年代以來的大多數(shù)時間內(nèi),超大規(guī)模集成電路器件的特征尺寸以每三年70 9/6的速度縮小,從而使得數(shù)目越來越多的晶體管可以集成在同一顆半導(dǎo)體芯片上制造。由于具有速度、價格、面積、功耗和上市時間上
0 引 言 隨著計算機與微電子技術(shù)的發(fā)展,電子設(shè)計自動化EDA領(lǐng)域已成為電子技術(shù)發(fā)展的主體,數(shù)字系統(tǒng)的設(shè)計正朝著速度快、容量大、體積小、重量輕的方向發(fā)展。推動該潮流發(fā)展的引擎,就是日趨進步和完善的CPLD