在電子電路設計中,接地(GND)是保障系統(tǒng)穩(wěn)定性、抑制電磁干擾(EMI)的核心環(huán)節(jié),其本質是為電路提供穩(wěn)定的電位參考和順暢的電流回流路徑。理想狀態(tài)下,GND應是等電勢的“零電位點”,但實際設計中,為解決特定功能需求或EMC問題,常會在GND中串入電阻、磁珠或電感等元件。這些元件的引入會改變GND的電氣特性,產(chǎn)生差異化影響。深入理解其作用機制與潛在風險,是實現(xiàn)精準電路設計的關鍵。
在電力電子電路設計中,MOS管(金屬-氧化物半導體場效應晶體管)憑借低導通電阻、高開關速度及電壓控制的優(yōu)勢,成為電阻分壓電路中實現(xiàn)精準通斷控制的核心器件,廣泛應用于電源管理、信號調(diào)理等領域。然而在實際應用中,MOS管關斷瞬間常出現(xiàn)漏源極電壓(V)超出穩(wěn)態(tài)值的過沖現(xiàn)象,這種瞬時高壓可能擊穿MOS管、損壞分壓電阻及后端負載,嚴重威脅電路穩(wěn)定性與可靠性。深入探究過沖產(chǎn)生的根源,是優(yōu)化電路設計、規(guī)避失效風險的關鍵。結合電路特性與實際應用場景,MOS管控制電阻分壓關斷過沖的成因主要源于寄生參數(shù)耦合、驅動電路特性偏差及負載與分壓網(wǎng)絡匹配失衡三大核心因素,具體分析如下。
隨著汽車產(chǎn)業(yè)向電動化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化加速轉型,汽車系統(tǒng)的復雜度呈指數(shù)級增長,從傳統(tǒng)的動力傳動系統(tǒng)到先進的自動駕駛、車載信息娛樂系統(tǒng),每一個環(huán)節(jié)的穩(wěn)定運行都直接關乎駕乘安全與出行體驗。在構成汽車電子系統(tǒng)的眾多元器件中,無源器件雖無主動放大或控制功能,卻占據(jù)了總量的70%以上,是保障系統(tǒng)可靠性的“基石”。電阻、電容、電感、濾波器等無源器件的性能優(yōu)劣與應用合理性,直接決定了汽車電子系統(tǒng)的穩(wěn)定性、耐久性與安全性。因此,通過精心選擇并科學使用無源器件,成為確保汽車系統(tǒng)可靠性的關鍵路徑。
在PCB(印刷電路板)設計中,導熱過孔是實現(xiàn)熱量垂直傳導的關鍵結構,廣泛應用于電源模塊、處理器、汽車電子等高熱流密度場景。細心觀察會發(fā)現(xiàn),不少導熱過孔周邊會分布著若干無網(wǎng)絡的小焊盤——這些不連接任何電路網(wǎng)絡的銅質結構看似多余,實則是保障PCB熱性能、機械可靠性與裝配穩(wěn)定性的重要設計。
在智能交通體系的演進中,車路協(xié)同系統(tǒng)通過“車輛感知+路側感知”的雙向融合,構建起“車-路-云-人”的立體化交通生態(tài),而激光雷達傳感器憑借其毫米級測距精度、全天時環(huán)境適應性和三維空間感知能力,成為突破傳統(tǒng)感知瓶頸、實現(xiàn)系統(tǒng)高效協(xié)同的核心支撐。從車載端的局部精準探測到路側端的全局視野覆蓋,激光雷達的深度應用正在重塑交通感知邏輯,為安全出行與高效通行注入核心動力。
隨著全球能源轉型加速,電動汽車已成為汽車產(chǎn)業(yè)升級的核心方向。然而,續(xù)航焦慮、安全擔憂、成本高企等問題仍制約著其大規(guī)模普及。作為電動汽車動力電池的“智慧大腦”,電池管理系統(tǒng)(BMS)的技術創(chuàng)新正從根本上破解這些痛點,通過提升安全性、優(yōu)化能效、降低成本,為電動汽車滲透率的提升注入核心動力。數(shù)據(jù)顯示,2025年中國新能源汽車滲透率已突破44%,而BMS相關技術突破貢獻率超過30%,充分印證了其關鍵價值。
在電力電子電路中,濾波是保障電路穩(wěn)定運行的關鍵環(huán)節(jié),其核心目的是抑制雜波、提純電能。電感作為濾波電路的核心元件,憑借其“通直流、阻交流”的特性,在交流和直流電路中均有廣泛應用。共模電感與差模電感是兩類常見的電感元件,關于二者能否用于直流電濾波,需結合其結構特性、工作原理及直流電路的濾波需求綜合判斷。本文將從核心原理出發(fā),深入分析兩類電感在直流濾波中的適用性、應用場景及注意事項,為實際電路設計提供參考。
在電力系統(tǒng)與電子設備的運行體系中,地線是保障安全、穩(wěn)定運行的核心防線,承擔著泄放故障電流、均衡電位、抑制電磁干擾的關鍵作用。然而,當瞬時高壓浪涌通過地線傳播時,這道“安全防線”反而可能成為故障擴散的通道,導致設備擊穿損壞、數(shù)據(jù)丟失甚至引發(fā)人員安全事故。瞬時高壓浪涌的成因復雜,可能源于雷擊、電網(wǎng)操作過電壓、設備啟停沖擊等多種因素,其峰值電壓可達數(shù)千甚至數(shù)萬伏,傳播速度快、破壞性極強。因此,采取科學有效的措施防止流經(jīng)地線的瞬時高壓浪涌,對于保障電力系統(tǒng)與電子設備的可靠運行具有重要意義。
在CMOS(互補金屬氧化物半導體)電路設計中,NMOS(N型金屬氧化物半導體)管的合理連接是保障電路性能、穩(wěn)定性和可靠性的關鍵。NMOS管的核心特性是通過柵源電壓控制漏源極之間的導通與截止,其襯底通常接地(對于增強型NMOS),這一結構決定了其電壓耐受范圍和工作機制。實際設計中,若因功能需求需將NMOS一端(漏極或源極)直接接到電源,需突破常規(guī)連接邏輯,此時必須重點關注電壓匹配、襯偏效應、擊穿風險等核心問題,否則易導致器件損壞、電路功能失效甚至系統(tǒng)崩潰。本文將從NMOS器件特性出發(fā),詳細闡述一端直接接電源時的核心注意事項,為電路設計提供技術參考。
在射頻(RF)系統(tǒng)設計與調(diào)試中,功率增益和電壓增益是評估信號放大性能的核心指標,直接決定系統(tǒng)的信號傳輸效率、抗干擾能力及整體可靠性。射頻信號具有高頻、易輻射、阻抗匹配敏感等特性,使得增益的確定方法與低頻電路存在顯著差異。本文將從基本概念出發(fā),系統(tǒng)闡述射頻系統(tǒng)中功率增益與電壓增益的定義、確定原則、核心方法及實操注意事項,為工程實踐提供技術參考。