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功率MOSFET憑借導(dǎo)通電阻低、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好的優(yōu)勢(shì),已成為大功率開關(guān)電源的核心開關(guān)器件。其性能的充分發(fā)揮,完全依賴于高效可靠的驅(qū)動(dòng)技術(shù)。驅(qū)動(dòng)電路作為MOSFET與控制單元的橋梁,需精準(zhǔn)調(diào)控柵極電壓與電流,平衡開關(guān)速度與穩(wěn)定性,解決寄生參數(shù)干擾、米勒效應(yīng)等難題,是保障開關(guān)電源高效運(yùn)行的關(guān)鍵。
在電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域,DCDC轉(zhuǎn)換器的效率是衡量性能的核心指標(biāo),直接關(guān)系到系統(tǒng)續(xù)航、熱管理與可靠性。不少工程師在選型和調(diào)試時(shí)會(huì)產(chǎn)生疑問:廠商給出的DCDC效率參數(shù),是否包含外圍無源器件的損耗?答案是肯定的——**標(biāo)準(zhǔn)DCDC效率計(jì)算已涵蓋外圍無源器件的能量耗散**,但需明確其測(cè)量邊界與實(shí)際應(yīng)用中的差異,避免設(shè)計(jì)偏差。
在數(shù)字電子技術(shù)領(lǐng)域,邏輯電路是構(gòu)成各類數(shù)字系統(tǒng)的核心,根據(jù)電路輸出與輸入信號(hào)的關(guān)系,可分為時(shí)序邏輯電路和組合邏輯電路兩大類。這兩種電路在工作原理、結(jié)構(gòu)組成和應(yīng)用場(chǎng)景上存在顯著差異,其根本區(qū)別源于核心構(gòu)成單元的不同——時(shí)序邏輯電路的基本單元是**觸發(fā)器**,組合邏輯電路的基本單元?jiǎng)t是**門電路**。深入理解這兩種基本單元的特性,是掌握數(shù)字電路設(shè)計(jì)與應(yīng)用的基礎(chǔ)。
在人工智能技術(shù)飛速迭代的今天,從云端數(shù)據(jù)中心的大模型訓(xùn)練到邊緣終端的智能感知,算力需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng),對(duì)電源管理系統(tǒng)提出了前所未有的嚴(yán)苛要求。電源管理集成電路(PMIC)作為電子設(shè)備的“能量管家”,其集成度直接決定了AI系統(tǒng)的能效、穩(wěn)定性與小型化水平。高度集成PMIC通過融合多路供電、精準(zhǔn)調(diào)控、緊湊封裝等核心特性,為人工智能應(yīng)用突破性能瓶頸、實(shí)現(xiàn)場(chǎng)景落地提供了關(guān)鍵支撐,成為AI生態(tài)中不可或缺的核心組件。
在使用筆記本電腦、顯示器、路由器等電子設(shè)備時(shí),電源適配器發(fā)熱是極為常見的現(xiàn)象。不少用戶對(duì)此憂心忡忡,既擔(dān)心設(shè)備損壞,又害怕引發(fā)安全隱患。事實(shí)上,適配器發(fā)熱分為正常散熱與異常過熱兩種情況,前者無需擔(dān)心,后者需及時(shí)排查處理。本文將從發(fā)熱原因、正常與異常的界定、解決方法及保養(yǎng)技巧等方面,全面解答電源適配器供電發(fā)熱的問題。
EMI,即電磁干擾,是指任何可能引起電子設(shè)備性能降低或產(chǎn)生負(fù)面影響的電磁現(xiàn)象。EMI可以通過各種方式傳播,如電磁波、導(dǎo)線和電源線等。
在電子電源管理領(lǐng)域,雙開關(guān)型升-降壓轉(zhuǎn)換器(Buck-Boost Converter)是一種關(guān)鍵的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),廣泛應(yīng)用于需要寬輸入電壓范圍或動(dòng)態(tài)電壓調(diào)整的場(chǎng)景。
在當(dāng)今高度自動(dòng)化的工業(yè)環(huán)境中,可編程邏輯控制器(Programmable Logic Controller,PLC)已成為現(xiàn)代工業(yè)控制系統(tǒng)的核心組件。
在現(xiàn)代電子設(shè)備中,電源供應(yīng)器的選擇與設(shè)計(jì)對(duì)設(shè)備的性能與穩(wěn)定性有著至關(guān)重要的影響。