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功率二極管肖特基二極管的區(qū)別是什么?
功率二極管肖特基二極管的區(qū)別是什么?功率二極管和肖特基二極管是兩種常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件，它們都具有二極管的特性。
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PWM信號(hào)的占空比和頻率有什么區(qū)別?
逆變器、轉(zhuǎn)換器、SMPS 電路和速度控制器......在所有這些電路中常見(jiàn)的一件事是它內(nèi)部包含許多電子開(kāi)關(guān)。這些開(kāi)關(guān)不過(guò)是 MOSFET、IGBT、TRIAC等電力電子設(shè)備。
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射頻識(shí)別技術(shù)在收費(fèi)系統(tǒng)中的應(yīng)用
射頻識(shí)別，RFID(Radio Frequency Identification)技術(shù)，又稱(chēng)無(wú)線(xiàn)射頻識(shí)別，是一種通信技術(shù)，可通過(guò)無(wú)線(xiàn)電訊號(hào)識(shí)別特定目標(biāo)并讀寫(xiě)相關(guān)數(shù)據(jù)，而無(wú)需識(shí)別系統(tǒng)與特定目標(biāo)之間建立機(jī)械或光學(xué)接觸。
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如何設(shè)計(jì)濾波電路濾除掉脈動(dòng)直流中的交流
電子電路中的電源一般是低壓直流電，先把220v交流電變換成低壓直流電，再用整流電路變成脈動(dòng)的直流電，最后用濾波電路濾除掉脈動(dòng)直流中的交流成分后才能得到直流電。
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在高速PCB設(shè)計(jì)是為什么需要控阻抗?
我們?cè)诟咚貾CB設(shè)計(jì)是為什么需要控阻抗呢，哪些信號(hào)需要控阻抗以及不控阻抗對(duì)我們的電路有什么影響呢?
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高速電路布局布線(xiàn)中，高速信號(hào)傳輸優(yōu)化技巧
高速電路無(wú)疑是PCB設(shè)計(jì)中要求非常嚴(yán)苛的一部分，因?yàn)楦咚傩盘?hào)很容易被干擾，導(dǎo)致信號(hào)質(zhì)量下降，所以在PCB設(shè)計(jì)的過(guò)程中就需要避免或降低這種情況的發(fā)生。
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開(kāi)關(guān)電源多路輸出電源的電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
幾乎市面上所有的嵌入式系統(tǒng)都會(huì)用到多路輸出電源，包括常見(jiàn)的多路輸出線(xiàn)性電源和多路輸出開(kāi)關(guān)電源。
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微電子裝置系統(tǒng)設(shè)計(jì)中如何抑制電磁干擾
抑制電磁干擾采用的技術(shù)主要包括濾波技術(shù)、布局與布線(xiàn)技術(shù)、屏蔽技術(shù)、接地技術(shù)、密封技術(shù)等。
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為什么共模濾波器比差模濾波器容易設(shè)計(jì)
低頻來(lái)自?xún)刹糠郑翰钅：凸材V波。差模濾波試圖減少電流返回回線(xiàn)的電源線(xiàn)上噪聲。這意味著電源線(xiàn)上噪聲存在在外殼和回線(xiàn)上。
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有源EMI濾波器及有源輸出紋波衰減器分析
在電路板設(shè)計(jì)中，噪聲問(wèn)題是每位設(shè)計(jì)師都會(huì)遇到的一大問(wèn)題。為了解決噪聲問(wèn)題，一般需要花費(fèi)數(shù)小時(shí)時(shí)間來(lái)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)室測(cè)試才能揪出真正的元兇。
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濾波電容在處理低頻和高頻信號(hào)時(shí)的作用
電容作為應(yīng)用非常廣泛的電子元器件之一，具備非常多的功能。其中濾波，是電容器非常常見(jiàn)的作用之一。那么你是否知道什么是濾波電容呢?還有濾波電容的作用是什么?
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什么是濾波，濾波對(duì)電子產(chǎn)品有什么影響?
在學(xué)習(xí)和使用電子元器件時(shí)，經(jīng)常會(huì)看到濾波、干擾這些陌生的詞。本篇來(lái)講講什么什么是濾波，濾波對(duì)電子產(chǎn)品有什么影響?
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儲(chǔ)能元件電感器L的電流不能突變的特點(diǎn)如何利用
廣泛應(yīng)用在耦合、隔直、旁路、濾波、調(diào)諧、能量轉(zhuǎn)換和自動(dòng)控制等電路中。熟悉電容器在不同電路中的名稱(chēng)意義，有助于我們讀懂電子電路圖。
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電子電路中電容的濾波作用是什么原理
電容的濾波作用是電子電路中非常常見(jiàn)的一種功能，其基本原理是通過(guò)電容對(duì)交流信號(hào)進(jìn)行充電和放電，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)信號(hào)的濾波。
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現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器提供隔離功能的最大功率限制
在電力電子技術(shù)的快速發(fā)展中，絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)作為關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車(chē)、工業(yè)變頻器、太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。這些應(yīng)用領(lǐng)域?qū)υO(shè)備的可靠性和性能要求極高，因此，現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器必須具備高效的隔離功能和強(qiáng)大的功率處理能力。本文將深入探討現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在提供隔離功能時(shí)的最大功率限制及其實(shí)現(xiàn)機(jī)制。
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