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  • 修改我們的開關電源架構以改善瞬態(tài)響應，第二部分

    盡管輸出電壓隨負載的變化在美學上令人不快，但該模型相對于前一個模型的優(yōu)勢是巨大的。它包含相同限制之間的輸出電壓，具有幾乎兩倍的 ESR，并且當我們將它們與允許的偏差進行比較時，誤差源和紋波電壓會變小，這通常是這種情況。將近兩倍的 ESR 意味著輸出電容器的數(shù)量幾乎減少了一半，從而大大降低了成本和尺寸。剩下的問題是：我們如何設計電源以具有此特性?

  • 修改我們的開關電源架構以改善瞬態(tài)響應，第一部分

    開關電源通常具有嚴格的靜態(tài)調節(jié)規(guī)范。使用廣泛可用的精密基準，我們無需任何初始調整即可在工作溫度范圍內輕松實現(xiàn) ±1% 的精度。我們還必須處理電源的動態(tài)調節(jié)規(guī)范，制造商通常將其指定為瞬態(tài)負載的最大允許偏差，該瞬態(tài)負載具有規(guī)定的電流階躍和規(guī)定的最大允許壓擺率。這些規(guī)格以及恢復時間定義了瞬態(tài)后輸出電壓需要多長時間才能恢復到靜態(tài)限制范圍內。

  • 使用超低壓 MOSFET 陣列進行電路設計-亞閾值電壓操作

    在閾值電壓或低于閾值電壓時，EPAD MOSFET 在稱為亞閾值區(qū)域的工作區(qū)域中表現(xiàn)出關斷特性。這是 EPAD MOSFET 傳導通道根據施加的柵極電壓快速關閉的區(qū)域。由柵電極上的柵電壓引起的溝道呈指數(shù)下降，因此導致漏極電流呈指數(shù)下降。然而，通道不會隨著柵極電壓的降低而突然關閉，而是以每十倍電流下降約 110 mV 的固定速率下降。

  • 使用超低壓 MOSFET 陣列進行電路設計-增強型 EPAD MOSFET

    ALD1148xx/ALD1149xx 產品是耗盡型 EPAD MOSFET，當柵極偏置電壓為 0.0V 時，它們是常開器件。耗盡模式閾值電壓處于 MOSFET 器件關斷的負電壓。提供負閾值，例如 –0.40V、-1.30V 和 –3.50V。在沒有電源電壓且 Vgs = 0.0V 的情況下，這些 EPAD MOSFET 器件已經開啟，并且在源極和漏極端子之間表現(xiàn)出受控的導通電阻。

  • 使用超低壓 MOSFET 陣列進行電路設計-“零閾值”模式設備

    尋求在電路設計中實現(xiàn)更低的工作電壓和更低的功耗水平是一種趨勢，這給電氣工程師帶來了艱巨的挑戰(zhàn)，因為他們遇到了基本半導體器件特性對他們施加的限制。長期以來，工程師們一直將這些特性視為基本特性，并可能阻止他們最大限度地擴大可用電壓范圍，否則會使新電路取得成功。

  • 關于氮化鎵實際使用的熱管理方面討論

    所以，我想說這個概念是完全可擴展的。因此，我們可以為低功率制作非常高的 RDS (on) 部件，或為高功率制作非常低的 RDS (on) 部件。通過簡單地重塑設計，它可以擴展到低電壓，但這個概念是成立的。這就是我們基本上認為我們已經實現(xiàn)了最初目標的方式。

  • 使用更高功率來進行射頻抗擾度測試

    如今,無論生活亦或是工作環(huán)境中都充斥著大量不同頻率的電磁場，各個電子、電氣設備在同一空間中同時工作時，總會在它周圍產生一定強度的電磁場，比如電視發(fā)射臺、固定或移動式無線電發(fā)射臺以及各種工業(yè)輻射源產生的電磁場。

  • 新的 SMU 可優(yōu)化物聯(lián)網和半導體的電池壽命

    羅德與施瓦茨宣布進入源測量單元 (SMU) 市場，推出兩款新儀器，用于分析和優(yōu)化物聯(lián)網 (IoT) 應用和半導體元件測試的電池壽命測試。

  • 對話恩智浦：有關電動汽車的電氣化和電池管理

    汽車電氣化正在興起，隨著世界各國政府試圖實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展目標，它可能會繼續(xù)增長。本文摘錄了與恩智浦半導體執(zhí)行副總裁兼高級模擬業(yè)務線總經理 Jens Hinrichsen 就汽車電氣化的各個方面的對話——從技術方面，包括電池管理，到增長的挑戰(zhàn)，包括解決范圍焦慮等因素，這是一種常見的消費者猶豫。

  • 我們如何看待未來幾年的 GaN?

    我們如何看待未來幾年的 GaN?與 GaN 競爭的其他寬帶隙材料有哪些?所以，我提到了碳化硅。因此，這些天來，我們也在談論電動汽車。那么，與其他解決方案相比，GaN 在哪些方面可以提供更好的價值呢?我們期望在哪里看到下一波增長?

  • 火災的發(fā)生，讓我們重新思考高效的電氣化（1）

    穴居人發(fā)現(xiàn)了火，而人類通過發(fā)明來進化這一發(fā)現(xiàn)，為我們照亮道路、烹飪食物并讓我們保持溫暖。但現(xiàn)在，我們都同意我們需要改變我們對能源的看法：它是如何產生、使用的，如何提高效率。近幾十年來，許多進步包括來自可再生能源的清潔能源、以前依賴燃燒燃料的事物的電氣化以及對能源效率的關注。隨著我們向萬物電氣化邁進，人類與火的這種親密關系將會消失，因為未來人類將看不到明火。這是一個相當大的偏離!當前這一代工程師將不再需要火。

  • 火災的發(fā)生，讓我們重新思考高效的電氣化（2）

    我們會在不久的將來看到鎵的高壓應用嗎?或者我們可以在哪里做一些事情，比如通過氮化鎵芯片運行列車級電壓?

  • GaN 半橋集成加速電力電子革命

    功率半導體的第二次革命五年后，基于氮化鎵 (GaN)的移動快速充電器主宰了旗艦智能手機和筆記本電腦型號，從傳統(tǒng)功率硅芯片中搶占了市場份額。這種下一代“寬帶隙”技術正在逐步進入主流移動應用程序，同時從該灘頭市場突圍，進入更高功率的消費者、太陽能、數(shù)據中心和電動汽車。一個新的電源平臺——集成的、功能豐富的、高效的 GaNSense?“半橋”——是高功率、高速應用的基本組成部分，其中 GaN 不僅提供更小、更快速的充電和降低系統(tǒng)成本的應用，而且還可以節(jié)省大約 2.6 Gtons CO 2/年到 2050 。

  • 使用寬帶隙半導體為電動汽車供電，第一部分

    車輛電氣化是減少道路交通溫室氣體排放計劃的關鍵部分。與傳統(tǒng)的硅替代品相比，寬帶隙半導體具有多種優(yōu)勢，因此可以改進電動汽車和混合動力汽車。在這個與 FTEX 的聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席技術官 Alexandre Cosneau 的討論中，我們將發(fā)現(xiàn)電動汽車的動力總成技術和 GaN 的優(yōu)勢。Cosneau 正在尋找優(yōu)化電源轉換的方法，從電池設計到電機效率，這對 FTEX 技術和解決方案至關重要。

  • 設計節(jié)能螺線管驅動器：設計理念

    螺線管是機電致動器，具有稱為柱塞的自由移動磁芯。通常，螺線管由螺旋形線圈和鐵制成的動鐵芯組成。 當電流通過螺線管線圈時，它會在其內部產生磁場。該磁場產生拉入柱塞的力。當磁場產生足夠的力來拉動柱塞時，它會在螺線管內移動，直到達到機械停止位置。當柱塞已經在螺線管內時，磁場會產生力將柱塞固定到位。當電流從螺線管線圈中移除時，柱塞將在螺線管中安裝的彈簧推動下返回其原始位置。

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