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DDR6預布局信號完整性：ODT參數(shù)自適應與三維封裝協(xié)同仿真方法
隨著數(shù)據(jù)存儲和處理需求的飛速增長，DDR（雙倍數(shù)據(jù)速率）內(nèi)存技術(shù)不斷迭代升級。DDR6作為新一代高速內(nèi)存標準，其數(shù)據(jù)傳輸速率大幅提升，這對信號完整性提出了更為嚴苛的挑戰(zhàn)。在DDR6預布局階段，確保信號完整性至關(guān)重要，其中ODT（On-Die Termination，片上終端電阻）參數(shù)自適應與三維封裝協(xié)同仿真方法是解決信號完整性問題的關(guān)鍵技術(shù)手段。
