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面向超高頻植入式RFID芯片的溫度傳感器研制
基于 0. 18μm 工藝設計并實現(xiàn)了一款用于超高頻植入式 RFID 芯 片的 溫 度 傳 感 器 。該 溫 度 傳 感 器 將 MOS管 作 為感溫元件 ,采用基于亞閾值 MOS管的低功耗感溫核 心 。傳感器利用 PTAT 和 CTAT 兩種電壓延時器構成脈寬產生電 路 ,從而生成脈寬信號 ,并與時間數字轉換器(TDC) 一起構成溫度量化電路 。核心電路的版圖面積為 298μm×261μm,測溫范 圍 為 35~ 45 ℃ 。 流 片測 試 結 果 表 明 , 三 顆 芯 片在 兩 點 校 準 后 的 測 溫 最 大 誤 差為 ± 0. 4 ℃ , 關 鍵 溫 區(qū) 的 最 大 誤 差為 ±0. 2 ℃ , 實測功耗為 623 nW 。基于流片實測結果 ,發(fā)現(xiàn)了當前芯片的局限性 ,并提出 了 未來芯片結構的改進方向 。
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鋰離子電池用保護電路的低功耗設計
90 年代出現(xiàn)的鋰電池是能源技術領域的一個重要的里程碑。和其它二次電池相比, 鋰電池具有更高的體積密度和能量密度, 因此在移動電話、個人數字助理(Personal D igital A s
