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英飛凌推出采用 Q-DPAK 封裝的CoolSiC? MOSFET 1200 V G2，將工業(yè)應用功率密度提升至新高度
【2025年8月1日，德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOSFET 1200 V G2。這款新型半導體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度，專為應對工業(yè)應用的高性能和高可靠性要求而設計，例如電動汽車充電機、光伏逆變器、不間斷電源、電機驅動和固態(tài)斷路器等。
