低功耗存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)，動(dòng)態(tài)電壓頻率調(diào)節(jié)到近閾值計(jì)算

物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備與邊緣AI芯片對(duì)毫瓦級(jí)功耗的極致追求，低功耗存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)已成為突破能量效率瓶頸的核心戰(zhàn)場(chǎng)。從動(dòng)態(tài)電壓頻率調(diào)節(jié)(DVFS)到近閾值計(jì)算(NTC)，存儲(chǔ)器技術(shù)正通過多維度創(chuàng)新，將每比特能耗壓縮至皮焦耳級(jí)。以三星eMRAM為例，其通過NTC技術(shù)將待機(jī)功耗降低至傳統(tǒng)SRAM的1/1000，同時(shí)保持10年數(shù)據(jù)保持能力，印證了低功耗存儲(chǔ)器在延長(zhǎng)設(shè)備續(xù)航中的革命性價(jià)值。