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MOS管控制電阻分壓關斷過沖的成因解析
在電力電子電路設計中，MOS管(金屬-氧化物半導體場效應晶體管)憑借低導通電阻、高開關速度及電壓控制的優(yōu)勢，成為電阻分壓電路中實現(xiàn)精準通斷控制的核心器件，廣泛應用于電源管理、信號調理等領域。然而在實際應用中，MOS管關斷瞬間常出現(xiàn)漏源極電壓(V)超出穩(wěn)態(tài)值的過沖現(xiàn)象，這種瞬時高壓可能擊穿MOS管、損壞分壓電阻及后端負載，嚴重威脅電路穩(wěn)定性與可靠性。深入探究過沖產生的根源，是優(yōu)化電路設計、規(guī)避失效風險的關鍵。結合電路特性與實際應用場景，MOS管控制電阻分壓關斷過沖的成因主要源于寄生參數(shù)耦合、驅動電路特性偏差及負載與分壓網(wǎng)絡匹配失衡三大核心因素，具體分析如下。
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Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%，且具備低導通電阻RDS(on)
采用易于使用的封裝，適用于可穿戴設備和大批量應用
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東芝面向車載應用推出采用緊湊型封裝的100V N溝道功率MOSFET
東芝今日宣布，推出兩款面向車載48V電氣系統(tǒng)應用的新型100V N溝道功率MOSFET。
