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ESD 導致電子器件功能失效的兩大核心機理解析
在電子制造業(yè)與電子設備運維領域，靜電放電(Electrostatic Discharge，簡稱 ESD)是導致電子器件功能失效的 “隱形殺手”。據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)統(tǒng)計，電子制造業(yè)中因 ESD 引發(fā)的產(chǎn)品不良率占總不良率的 25% 以上，且超過 30% 的電子器件早期失效與 ESD 損傷直接相關。ESD 之所以能對精密電子器件造成毀滅性影響，核心源于其觸發(fā)的兩種關鍵失效機理 ——靜電放電電流燒毀機理與靜電場擊穿機理。這兩種機理從不同維度破壞器件結構與性能，最終導致器件無法正常工作，深入理解其作用過程對電子器件的防護設計與可靠性提升具有重要意義。
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三極管輸入、輸出特性曲線是怎樣的？如何預防三極管被擊穿
本文中，小編將對三極管予以介紹，如果你想對它的詳細情況有所認識，或者想要增進對它的了解程度，不妨請看以下內(nèi)容哦。
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如何選取MOS管？MOS管擊穿問題分析
一直以來，MOS管都是大家的關注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在，小編將為大家?guī)鞰OS管的相關介紹，詳細內(nèi)容請看下文。
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關于場效應管應用，你不得不了解的事
你知道場效應管應用嗎？對于工程師而言，每天的研發(fā)設計會經(jīng)常性與晶體三極管打交道，所以了解這個元器件是很有必要的。眾所周知，由于場效應管有獨特的特點，造就了輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點。我們知道場效應晶體管的種類很多，根據(jù)結構不同分為結型場效應管和絕緣柵型場效應管;絕緣柵型場效應管又稱為金屬氧化物導體場效應管，或簡稱MOS場效應管。今天我們就從場效應管應用的角度去看看，那些還需要我們了解呢?
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MOS管“擊穿”的一些情況解析
什么是MOSFET的擊穿?你真滴嗎?MOSFET的擊穿有哪幾種，你了解嗎?今天小編就給大家科普一下關于MOSFET擊穿的知識點!速來學習吧~MOSFET的擊穿分為三種：Source、Drain、Gate，場效應管的三極：源級S 漏級D 柵級G，(這里不講柵極GOX擊穿了啊，只針對漏極電壓擊穿)。
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LED特性分析
現(xiàn)在大街上隨處可見的LED顯示屏，還有裝飾用的LED彩燈以及LED車燈，處處可見LED燈的身影，LED已經(jīng)融入到生活中的每一個角落。二極管，(英語：Diode)，電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應用其整流的功能。
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用萬用表如何測量電容擊穿、漏電？
用萬用表判斷電容器質(zhì)量:視電解電容器容量大小，通常選用萬用表的 R×10 、 R×100 、 R×1K 擋進行測試判斷。紅、黑表筆分別接電容器的負極(每次測試前，需將電容器放電)，由表針的偏擺來判斷電容器質(zhì)
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用萬用表如何測量電容擊穿、漏電？
視電解電容器容量大小，通常選用萬用表的 R×10 、 R×100 、 R×1K 擋進行測試判斷。紅、黑表筆分別接電容器的負極(每次測試前，需將電容器放電)，由表針的偏擺來判斷電容器質(zhì)量。
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MOS管為什么會被靜電擊穿？
MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當高的電壓(想想U=Q/
