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功率 MOSFET

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  • 射極跟隨器時的功率 MOSFET 的驅(qū)動

    在現(xiàn)代電子電路設(shè)計中，功率 MOSFET 因其出色的特性，如高輸入阻抗、低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度等，被廣泛應(yīng)用于各類功率轉(zhuǎn)換和控制電路中，尤其是在高速開關(guān)電源等領(lǐng)域。而對于功率 MOSFET 的有效驅(qū)動是充分發(fā)揮其性能優(yōu)勢、確保電路穩(wěn)定高效運行的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。射極跟隨器作為一種常見的電路結(jié)構(gòu)，在功率 MOSFET 的驅(qū)動中有著獨特的應(yīng)用。

  • 聚焦電機驅(qū)動芯片：H 橋中的 N 型功率 MOSFET

    在現(xiàn)代電子設(shè)備的復(fù)雜脈絡(luò)中，電機作為實現(xiàn)電能與機械能相互轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵部件，廣泛應(yīng)用于從日常家電到高端工業(yè)設(shè)備等各個領(lǐng)域。而電機驅(qū)動芯片則如同電機的 “智慧大腦” 與 “動力心臟”，掌控著電機的運轉(zhuǎn)。其中，每一個 H 橋的功率輸出模塊由 N 型功率 MOSFET 組成的電機驅(qū)動芯片，憑借獨特性能在眾多驅(qū)動方案中脫穎而出，成為推動電機高效、精準(zhǔn)運行的核心力量。

  • 英飛凌推出面向汽車應(yīng)用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列，改進導(dǎo)通電阻、提升開關(guān)效率和設(shè)計魯棒性

    【2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌最新一代面向汽車應(yīng)用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有顯著的性能優(yōu)勢。這使得全新 MOSFET 成為所有的標(biāo)準(zhǔn)和未來車用 40V MOSFET 應(yīng)用的理想選擇，如電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、制動系統(tǒng)、斷開開關(guān)和新區(qū)域架構(gòu)。OptiMOS 7 系列產(chǎn)品還可用于電池管理、電子保險絲盒以及 DC-DC 和 BLDC 驅(qū)動器。

  • 電源設(shè)計說明：面向高性能應(yīng)用的新型 SiC 和 GaN FET 器件分析

    在本文中，我們分析了一些碳化硅和氮化鎵 FET器件的靜態(tài)和動態(tài)行為。公司正在將精力集中在這些類型的組件上，這些組件允許創(chuàng)建高效轉(zhuǎn)換器和逆變器。

  • 48V 系統(tǒng)：高效、穩(wěn)健地驅(qū)動功率 MOSFET

    在功率逆變器系統(tǒng)架構(gòu)和配置，需要用到 MOSFET 和高側(cè)/低側(cè)柵極驅(qū)動器，并且要評估將所有這些部分集成到一個健壯的系統(tǒng)中并有效地實施它需要徹底了解系統(tǒng)的損失機制，以及如何平衡權(quán)衡。在這篇文章中，我將討論 48V 系統(tǒng)中的損耗機制、高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器的設(shè)計權(quán)衡、寄生電感/電容以及印刷電路板 (PCB) 布局注意事項。