埋入式電阻容技術(shù)：薄膜材料Dk穩(wěn)定性與±5%公差控制方案

在5G通信、AI芯片等高速電路中，埋入式電阻與電容（埋阻埋容）技術(shù)通過(guò)將無(wú)源元件集成于PCB內(nèi)部層間，實(shí)現(xiàn)信號(hào)完整性提升與空間利用率優(yōu)化。某5G基站PCB因埋容材料介電常數(shù)（Dk）波動(dòng)導(dǎo)致電容值偏差12%，引發(fā)信號(hào)反射損耗超標(biāo)。本文提出基于NiCr合金薄膜電阻與高Dk聚合物電容的協(xié)同優(yōu)化方案，通過(guò)材料配方改進(jìn)與工藝控制，實(shí)現(xiàn)Dk穩(wěn)定性±2%以內(nèi)、電阻/電容公差±5%的突破。