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硅襯底InGaN基半導體激光器是個啥？
在硅襯底上成功生長了厚度達到6 μm左右的InGaN基激光器結構，位錯密度小于6×108 cm-2，成功實現(xiàn)了世界上首個室溫連續(xù)電注入條件下激射的硅襯底InGaN基激光器，激射波長為413 nm，閾值電流密度為4.7 kA/cm2。
在硅襯底上成功生長了厚度達到6 μm左右的InGaN基激光器結構，位錯密度小于6×108 cm-2，成功實現(xiàn)了世界上首個室溫連續(xù)電注入條件下激射的硅襯底InGaN基激光器，激射波長為413 nm，閾值電流密度為4.7 kA/cm2。
