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耗盡型模擬開關：無電源也能高性能連接
增強型FET用于當今絕大多數(shù)電子產(chǎn)品中，工作模式基于簡單的概念?？紤]到增強型NFET采用共源極結構(圖1，左)-當門極與源在相同的電勢，漏源極之間的溝道電阻很高，我們認為晶體管是‘關斷’的。這些FET需要一個正的門極到源電壓，以導通溝道，并在漏源極之間傳導。當沒有完全飽和時，這些FET的溝道電阻會有很大的變化。這可能導致模擬信號的問題，需要在整個信號幅度范圍的低失真。此外，當采用增強型FET的模擬開關失去電源時，其狀態(tài)是不確定的;它不會很好地傳導，很可能也不會很好地隔離信號。
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耗盡型模擬開關：無電源也能高性能連接
耗盡型MOSFET開關，一度不那么受歡迎，且常被視為典型的增強型FET的同屬，卻在最近幾年中越來越受歡迎。安森美半導體投入該技術，開發(fā)出越來越多的耗盡型模擬開關系列。這些開關越來越多地用于很好地解決工程問題。此博客將使讀者更好地了解這些實用的器件的能力，并介紹方案示例。
