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安森美半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)功率模塊將支持臺(tái)達(dá)的太陽(yáng)能光伏逆變器
NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個(gè)1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級(jí)的1200 V，40 A SiC升壓二極管。 SiC技術(shù)的使用提供了實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能逆變器等應(yīng)用中所要求高能效水平所需的低反向恢復(fù)和快速開關(guān)特性。
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