三維堆疊存儲(chǔ)器(3D NAND)的架構(gòu)演進(jìn)與工藝挑戰(zhàn)
三星第8代V-NAND量產(chǎn),具有目前三星同類產(chǎn)品中最高的存儲(chǔ)密度
三星開(kāi)始量產(chǎn)第8代V-NAND,存儲(chǔ)密度高達(dá)1Tb
三星第8代V-NAND量產(chǎn),采用3D縮放技術(shù)
Toshiba 與 WD 正在研發(fā) 128-Layer 3D TLC 存儲(chǔ)器顆粒
西數(shù)發(fā)布15TB企業(yè)級(jí)機(jī)械硬盤(pán):SMR技術(shù),儲(chǔ)存密度提升7%
日研制出4Tbit/平方英寸存儲(chǔ)密度的鐵電存儲(chǔ)體
AgigA 推出業(yè)界高存儲(chǔ)密度的 DDR3 解決方案
索尼研發(fā)大數(shù)據(jù)磁帶,達(dá)到185TB存儲(chǔ)量
新變存儲(chǔ)器RRAM技術(shù)可極大提高存儲(chǔ)密度
開(kāi)關(guān)電源遠(yuǎn)程技術(shù)支持STM32G474的HRTIM配置(cubeMX)
預(yù)算:¥500基于RK3588調(diào)試藍(lán)牙獲取數(shù)據(jù)后轉(zhuǎn)spi和串口
預(yù)算:¥5000開(kāi)發(fā)一套互感器監(jiān)測(cè)系統(tǒng),包含軟硬件
預(yù)算:¥600000上位機(jī)控制的防震車規(guī)級(jí)電磁爐項(xiàng)目
預(yù)算:¥50000