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寬帶隙

我要報(bào)錯(cuò)

  • 寬帶隙器件簡(jiǎn)介

    寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體器件主要指基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)材料的器件。相較于傳統(tǒng)的硅(Si)基器件，它們具有諸多卓越的性能。例如，寬帶隙器件擁有更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度，能夠承受更高的電壓;具備高電子遷移率，這使得電子在材料中移動(dòng)速度更快，大大提高了器件的開(kāi)關(guān)速度和效率;同時(shí)，它們還具有低導(dǎo)通電阻以及較高的熱導(dǎo)率，有助于降低器件工作時(shí)的發(fā)熱問(wèn)題，提高系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。

  • 寬帶隙技術(shù)：21世紀(jì)電力電子應(yīng)用的新規(guī)范

    在過(guò)去的二十年中，研究人員和大學(xué)已經(jīng)對(duì)幾種寬帶隙材料進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)，這些材料顯示出巨大的潛力來(lái)替代射頻，發(fā)光，傳感器和功率半導(dǎo)體應(yīng)用中的現(xiàn)有硅材料技術(shù)。在新世紀(jì)即將來(lái)臨之際，氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)達(dá)到了足夠的成熟度并獲得了足夠的吸引力，從而拋棄了其他潛在的替代方法，并得到了全球工業(yè)制造商的足夠關(guān)注。