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導(dǎo)通損耗

我要報(bào)錯(cuò)

  • MOS管低阻抗導(dǎo)通異常發(fā)熱的原因及處理方案詳解

    MOS管(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)憑借開關(guān)速度快、輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)功率小、損耗低等優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、高頻放大等各類電子電路中。在開關(guān)電源等核心應(yīng)用場(chǎng)景中，MOS管常工作于低阻抗導(dǎo)通狀態(tài)，理想情況下導(dǎo)通損耗極低，發(fā)熱微弱可忽略不計(jì)。但實(shí)際應(yīng)用中，若MOS管出現(xiàn)低阻抗導(dǎo)通時(shí)異常發(fā)熱(如外殼燙手、溫度超過85℃安全閾值)，不僅會(huì)導(dǎo)致器件性能衰減、壽命縮短，嚴(yán)重時(shí)還會(huì)引發(fā)熱擊穿、燒毀，甚至影響整個(gè)電路系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。

  • 工程師必讀開關(guān)電源MOS的8大損耗

    在器件設(shè)計(jì)選擇過程中需要對(duì) MOSFET 的工作過程損耗進(jìn)行先期計(jì)算（所謂先期計(jì)算是指在沒能夠測(cè)試各工作波形的情況下，利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路的計(jì)算值和預(yù)計(jì)波形，套用公式進(jìn)行理論上的近似計(jì)算）。