MOS管關(guān)斷時尖峰電壓的產(chǎn)生機理與應(yīng)對策略

在現(xiàn)代電子電路中，金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管（MOS管）因其高輸入阻抗、低驅(qū)動功率和快速開關(guān)特性而被廣泛應(yīng)用。然而，在MOS管的開關(guān)過程中，尤其是在關(guān)斷時，常常會出現(xiàn)電壓尖峰現(xiàn)象，這不僅影響電路的穩(wěn)定性，還可能對MOS管造成損害。本文將深入探討MOS管關(guān)斷時尖峰電壓的產(chǎn)生機理，并提出有效的應(yīng)對策略。