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帶隙半導體

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  • EPC 在意大利開設基于 GaN 的電機驅(qū)動設計應用中心

    新興電子應用需要能夠從更緊湊的平臺中獲得更高性能的電機設計。設計人員很難滿足基于傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 的電機驅(qū)動器電路的新要求。隨著硅技術達到功率密度、擊穿電壓和開關頻率的理論極限，設計人員控制功率損耗變得更加困難。這些限制的主要影響是在高工作溫度和高開關率下的次優(yōu)效率和額外的性能問題。