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硅基光電探測器的暗電流抑制技術(shù)：工藝改進(jìn)與測試驗(yàn)證
在光通信、量子計算及高精度光譜分析領(lǐng)域，硅基光電探測器憑借其與CMOS工藝兼容、響應(yīng)速度快等優(yōu)勢成為核心器件。然而，暗電流（無光照時的漏電流）作為制約探測器靈敏度的關(guān)鍵因素，其抑制技術(shù)直接決定器件性能上限。本文從工藝創(chuàng)新與測試驗(yàn)證雙維度，系統(tǒng)闡述硅基光電探測器暗電流抑制的前沿進(jìn)展。
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