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柵極電壓

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  • 大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動技術(shù)

    功率MOSFET憑借導(dǎo)通電阻低、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好的優(yōu)勢，已成為大功率開關(guān)電源的核心開關(guān)器件。其性能的充分發(fā)揮，完全依賴于高效可靠的驅(qū)動技術(shù)。驅(qū)動電路作為MOSFET與控制單元的橋梁，需精準調(diào)控柵極電壓與電流，平衡開關(guān)速度與穩(wěn)定性，解決寄生參數(shù)干擾、米勒效應(yīng)等難題，是保障開關(guān)電源高效運行的關(guān)鍵。

  • MOSFET瞬態(tài)脈沖熱阻的測量及其變化規(guī)律研究

    摘要:半導(dǎo)體器件正不斷朝高功率、高電壓、大電流方向發(fā)展,隨之而來的是高功率帶來的發(fā)熱和散熱難題?，F(xiàn)以MOSFET作為研究對象,對瞬態(tài)熱阻進行測量與分析,研究MOSFET瞬態(tài)熱阻在不同柵極電壓下的變化規(guī)律。實驗結(jié)果表明,MOSFET瞬態(tài)熱阻隨柵極電壓vGS絕對值的增大而減小,但對于不同的器件,熱阻減小的幅度不同。通過分析得到引起上述現(xiàn)象的原因在于,當(dāng)柵極電壓變化時,溝道和漂移區(qū)的物理尺寸發(fā)生變化,從而對熱流的擴散長度產(chǎn)生影響,改變了通道的導(dǎo)通電阻分布,并且導(dǎo)電通道內(nèi)的峰值溫度點會發(fā)生變化。

  • MOSFET瞬態(tài)脈沖熱阻的測量及其變化規(guī)律研究

    摘要:半導(dǎo)體器件正不斷朝高功率、高電壓、大電流方向發(fā)展,隨之而來的是高功率帶來的發(fā)熱和散熱難題。現(xiàn)以MOSFET作為研究對象,對瞬態(tài)熱阻進行測量與分析,研究MOSFET瞬態(tài)熱阻在不同柵極電壓下的變化規(guī)律。實驗結(jié)果表明,MOSFET瞬態(tài)熱阻隨柵極電壓vGS絕對值的增大而減小,但對于不同的器件,熱阻減小的幅度不同。通過分析得到引起上述現(xiàn)象的原因在于,當(dāng)柵極電壓變化時,溝道和漂移區(qū)的物理尺寸發(fā)生變化,從而對熱流的擴散長度產(chǎn)生影響,改變了通道的導(dǎo)通電阻分布,并且導(dǎo)電通道內(nèi)的峰值溫度點會發(fā)生變化。

  • 一款62mm器件半橋拓撲設(shè)計的CoolSiC?模塊

    在科學(xué)技術(shù)高度發(fā)達的今天，各種各樣的高科技出現(xiàn)在我們的生活中，為我們的生活帶來便利，那么你知道這些高科技可能會含有的CoolSiC? MOSFET模嗎?