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IGBT 損壞機(jī)理分析及保護(hù)電路設(shè)計(jì)原理
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為電力電子領(lǐng)域的核心器件，融合了 MOSFET 的高輸入阻抗和 GTR 的低導(dǎo)通壓降優(yōu)勢(shì)，在新能源汽車、軌道交通、工業(yè)變頻器、光伏逆變器等中高壓、大電流場(chǎng)景中廣泛應(yīng)用。其工作原理基于 MOS 柵極控制 PN 結(jié)導(dǎo)通與關(guān)斷，實(shí)現(xiàn)電能的高效轉(zhuǎn)換，但在復(fù)雜工況下，器件易受多種因素影響發(fā)生損壞，因此深入分析損壞機(jī)理并設(shè)計(jì)可靠的保護(hù)電路至關(guān)重要。
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我國(guó)能否建立起有影響力的AI開源開放平臺(tái)？
近日，由鵬城實(shí)驗(yàn)室、新一代人工智能產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟共同舉辦的“新一代人工智能院士高峰論壇”在深圳拉開帷幕。本次論壇以“「頭雁」穿云，云腦啟智”為主題，匯聚了國(guó)內(nèi)人工智能領(lǐng)域頂尖專家，共同探討行業(yè)變革與技術(shù)創(chuàng)新、探尋AI邊界。
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中國(guó)IGBT不再“一芯難求”，本土廠商同歐日三分天下
國(guó)內(nèi)汽車界中，“一芯難求”的現(xiàn)狀被打破了。
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