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氧化物靶材

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先導交付國內(nèi)首套G4.5代高遷移率氧化物靶材

金屬氧化物半導體因具備遷移率良好、穩(wěn)定性高、均勻性高、制造成本低等優(yōu)點，被認為是可能取代硅基薄膜晶體管的新一代溝道層半導體材料。在平板顯示領域，特別是在超高清，柔性顯示以及印刷顯示等新型顯示技術方面具有巨大的應用潛力。

半導體
2020-05-29

g4.5代半導體材料氧化物靶材

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