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CMOS電路中NMOS一端直接接到電源的注意事項
在CMOS(互補金屬氧化物半導體)電路設計中，NMOS(N型金屬氧化物半導體)管的合理連接是保障電路性能、穩(wěn)定性和可靠性的關鍵。NMOS管的核心特性是通過柵源電壓控制漏源極之間的導通與截止，其襯底通常接地(對于增強型NMOS)，這一結構決定了其電壓耐受范圍和工作機制。實際設計中，若因功能需求需將NMOS一端(漏極或源極)直接接到電源，需突破常規(guī)連接邏輯，此時必須重點關注電壓匹配、襯偏效應、擊穿風險等核心問題，否則易導致器件損壞、電路功能失效甚至系統(tǒng)崩潰。本文將從NMOS器件特性出發(fā)，詳細闡述一端直接接電源時的核心注意事項，為電路設計提供技術參考。
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如何測試mos管開關速度？mos管源極和漏極有什么區(qū)別？
在下述的內(nèi)容中，小編將會對mos管的相關消息予以報道，如果mos管是您想要了解的焦點之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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mos管開關電路原理詳解
D是漏極，S是源極，G是柵極，中間的箭頭表示襯底，如果箭頭向里表示是N溝道的MOS管，箭頭向外表示是P溝道的MOS管。
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你知道場效應管的源極和漏極可以調(diào)換嗎？
關于場效應管的源極和漏極，你知道它們可以互換使用嗎?我們在做電路設計中三極管和MOS管做開關用時候有什么區(qū)別工作性質：
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關于柵極，源極，漏極，你能區(qū)分嗎？
學過電路的人都知道柵極，源極，漏極，那么真的能分清柵極，源極，漏極嗎?柵極，源極，漏極，三個名字是從英文而來的。
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OptiMOS?源極底置25 V功率MOSFET，你知道嗎？
什么是OptiMOS?源極底置25 V功率MOSFET?它有什么作用?英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)通過專注于解決當前電源管理設計面臨的挑戰(zhàn)，來實現(xiàn)系統(tǒng)創(chuàng)新和組件水平的改進?！霸礃O底置”是符合行業(yè)標準的全新封裝概念。英飛凌已推出第一批基于該封裝概念的功率MOSFET，它們是采用PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。
