-
CMOS電路中NMOS一端直接接到電源的注意事項(xiàng)
在CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)電路設(shè)計(jì)中，NMOS(N型金屬氧化物半導(dǎo)體)管的合理連接是保障電路性能、穩(wěn)定性和可靠性的關(guān)鍵。NMOS管的核心特性是通過柵源電壓控制漏源極之間的導(dǎo)通與截止，其襯底通常接地(對(duì)于增強(qiáng)型NMOS)，這一結(jié)構(gòu)決定了其電壓耐受范圍和工作機(jī)制。實(shí)際設(shè)計(jì)中，若因功能需求需將NMOS一端(漏極或源極)直接接到電源，需突破常規(guī)連接邏輯，此時(shí)必須重點(diǎn)關(guān)注電壓匹配、襯偏效應(yīng)、擊穿風(fēng)險(xiǎn)等核心問題，否則易導(dǎo)致器件損壞、電路功能失效甚至系統(tǒng)崩潰。本文將從NMOS器件特性出發(fā)，詳細(xì)闡述一端直接接電源時(shí)的核心注意事項(xiàng)，為電路設(shè)計(jì)提供技術(shù)參考。
-
如何測(cè)試mos管開關(guān)速度？mos管源極和漏極有什么區(qū)別？
在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對(duì)mos管的相關(guān)消息予以報(bào)道，如果mos管是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
-
mos管開關(guān)電路原理詳解
D是漏極，S是源極，G是柵極，中間的箭頭表示襯底，如果箭頭向里表示是N溝道的MOS管，箭頭向外表示是P溝道的MOS管。
-
mos管開關(guān)電路原理
漏極和源極之間沒有電流流過。當(dāng)VGS超過VTH，MOS管進(jìn)入飽和狀態(tài)，此時(shí)漏極電流(ID)達(dá)到最大值，并且不隨VDS的變化而變化。
-
漏極閾值電壓
動(dòng)態(tài)閾值_芯片設(shè)計(jì)進(jìn)階之路——門級(jí)優(yōu)化和多閾值電壓
-
你知道場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以調(diào)換嗎？
關(guān)于場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極，你知道它們可以互換使用嗎?我們?cè)谧鲭娐吩O(shè)計(jì)中三極管和MOS管做開關(guān)用時(shí)候有什么區(qū)別工作性質(zhì)：
-
關(guān)于柵極，源極，漏極，你能區(qū)分嗎？
學(xué)過電路的人都知道柵極，源極，漏極，那么真的能分清柵極，源極，漏極嗎?柵極，源極，漏極，三個(gè)名字是從英文而來的。
- 是德科技創(chuàng)新技術(shù)峰會(huì)來襲，報(bào)名領(lǐng)好禮
- 安富利3kW模擬電源供應(yīng)器（PSU）解決方案開發(fā)板來襲，申請(qǐng)領(lǐng)好禮
- 得捷芯聞解碼視頻研習(xí)站第五期：打造更安全、更智能、更舒適、高續(xù)航的駕乘體驗(yàn)
- FPGA供電應(yīng)用遇挑戰(zhàn)？MPS高性能FPGA供電解決方案幫你破局
- 得捷芯聞解碼研習(xí)站第四期：網(wǎng)絡(luò)安全芯片，讓您的應(yīng)用系統(tǒng)無懈可擊
- “變現(xiàn)”指南：上傳資料獲三重紅包，親測(cè)有效！
- 《21ic技術(shù)洞察》系列欄目：AI芯紀(jì)元——AI加持，語?助?再進(jìn)化！
