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MOS管關斷緩慢引發(fā)恒流區(qū)與夾斷區(qū)臨界點發(fā)熱嚴重的機理及應對
MOS管作為電壓控制型功率半導體器件，憑借高頻開關特性廣泛應用于開關電源、電機驅(qū)動、逆變器等電力電子電路。在理想工況下，MOS管應在導通與關斷狀態(tài)間瞬時切換，但實際應用中，關斷緩慢導致器件長時間停留于恒流區(qū)與夾斷區(qū)臨界點的問題頻發(fā)，引發(fā)劇烈發(fā)熱，嚴重影響電路效率與器件可靠性。本文深入剖析該現(xiàn)象的內(nèi)在機理、影響因素，并提出針對性解決方案。
