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碳化硅二極管（SiC SBD）在光伏逆變器中的選型指南：羅姆BM30G004MN-C與ST STPSC10H065CI的溫升實(shí)測(cè)
在光伏逆變器領(lǐng)域，碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管(SiC SBD)憑借其零反向恢復(fù)電荷、高頻開(kāi)關(guān)特性及耐高溫能力，正逐步取代傳統(tǒng)硅二極管。然而，不同廠商的SiC SBD在溫升表現(xiàn)、電氣參數(shù)及封裝設(shè)計(jì)上存在顯著差異，直接影響系統(tǒng)效率與可靠性。本文以羅姆BM30G004MN-C與意法半導(dǎo)體(ST)STPSC10H065CI兩款典型產(chǎn)品為例，結(jié)合光伏逆變器實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景，解析選型關(guān)鍵要素。
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碳化硅二極管在PFC升壓整流中的高頻效率提升方法
在電力電子技術(shù)向高頻化、高功率密度發(fā)展的趨勢(shì)下，功率因數(shù)校正（PFC）電路的效率瓶頸逐漸聚焦于升壓整流環(huán)節(jié)。傳統(tǒng)硅基超快恢復(fù)二極管（FRD）因反向恢復(fù)損耗大、EMI噪聲高等問(wèn)題，已難以滿足高頻應(yīng)用需求。碳化硅肖特基二極管（SiC SBD）憑借其獨(dú)特的材料特性，成為突破這一瓶頸的關(guān)鍵器件。本文將從器件特性、損耗機(jī)制及工程應(yīng)用三個(gè)維度，系統(tǒng)闡述碳化硅二極管在高頻PFC中的效率提升方法。
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安森美發(fā)布碳化硅(SiC)二極 管用于要求嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，發(fā)布了碳化硅(SiC)肖特基二極管的擴(kuò)展系列，包括專門用于要求嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用的器件。新的符合AEC-Q101車規(guī)的汽車級(jí)SiC二極管提供現(xiàn)代汽車應(yīng)用所需的可靠性和強(qiáng)固性，以及等同于寬禁隙(WBG)技術(shù)的眾多性能優(yōu)勢(shì)。
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安森美半導(dǎo)體碳化硅二極管提供更高能效、更高功率密度和更低的系統(tǒng)成本
推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)推出最新650 V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產(chǎn)品，擴(kuò)展了SiC二極管產(chǎn)品組合。這些二極管的尖端碳化硅技術(shù)提供更高的開(kāi)關(guān)性能、更低的功率損耗，并輕松實(shí)現(xiàn)器件并聯(lián)。
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意法半導(dǎo)體推出最新的1200V碳化硅二極管，兼?zhèn)涑錾哪苄Ш拖冗M(jìn)的穩(wěn)健性
意法半導(dǎo)體2A - 40A 1200V碳化硅(SiC) JBS (結(jié)勢(shì)壘肖特基)二極管全系產(chǎn)品讓更多的應(yīng)用設(shè)備產(chǎn)品受益于碳化硅技術(shù)的高開(kāi)關(guān)能效、快速恢復(fù)和穩(wěn)定的溫度特性。
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