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碳化硅襯底制造

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  • 意法半導體與Soitec合作開發(fā)碳化硅襯底制造技術(shù)

    2022年12月8日,中國---- 服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)和世界先驅(qū)的創(chuàng)新半導體材料設(shè)計制造公司Soitec (巴黎泛歐證券交易所上市公司) 宣布了下一階段的碳化硅 (SiC)襯底合作計劃,由意法半導體在今后18 個月內(nèi)完成對Soitec碳化硅襯底技術(shù)的產(chǎn)前認證測試。此次合作的目標是意法半導體采用 Soitec 的 SmartSiC? 技術(shù)制造未來的8寸碳化硅襯底,促進公司的碳化硅器件和模塊制造業(yè)務(wù),并在中期實現(xiàn)量產(chǎn)。