磷化銦(InP)的高電場(chǎng)電子漂移速度比砷化鎵(GaAs)高,適合制造高速高頻器件。此外,InP的熱導(dǎo)率、太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換效率、抗輻射特性等均優(yōu)于GaAs,適合制造集成電路、太陽(yáng)能電池等,目前主要被用于光纖、毫米波和無(wú)線領(lǐng)域。是
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