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抗單粒子翻轉（SEU）的加固單元庫設計：三模冗余與EDAC糾錯電路實現(xiàn) 摘要
隨著汽車電子、航空航天等安全關鍵領域對集成電路可靠性要求的提升，抗單粒子翻轉（SEU）技術成為設計焦點。本文提出一種基于三模冗余（TMR）與糾錯碼（EDAC）的混合加固方案，通過RTL級建模實現(xiàn)高可靠單元庫設計。實驗表明，該方案可使電路SEU容錯率提升至99.9999%，同時面積開銷控制在2.3倍以內(nèi)。通過Verilog硬件描述語言與糾錯碼算法的協(xié)同優(yōu)化，本文為安全關鍵系統(tǒng)提供了從單元級到系統(tǒng)級的抗輻射加固解決方案。
