臺(tái)積電持續(xù)提升先進(jìn)制程技術(shù),7納米制程預(yù)計(jì)第1季試產(chǎn),明年開(kāi)始量產(chǎn),今年資本支出將維持100億美元新高規(guī)模,尤其今年研發(fā)支出將增加15%。
臺(tái)積電針對(duì)16納米FinFET制程開(kāi)發(fā)進(jìn)入第四代,統(tǒng)稱為12納米制程技術(shù),力旺開(kāi)始配合12納米開(kāi)發(fā)相關(guān)的NeoFuse IP,繼16納米精簡(jiǎn)版FinFET制程后,臺(tái)積電和力旺在先進(jìn)制程上再度合作。