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臺(tái)積電好神 Q2營(yíng)收達(dá)高標(biāo)
晶圓代工龍頭臺(tái)積電（2330）公告6月?tīng)I(yíng)收540.28億元續(xù)創(chuàng)新高，第2季營(yíng)收1,558.86億元，順利達(dá)到業(yè)績(jī)展望高標(biāo)。聯(lián)電6月?tīng)I(yíng)收107.61億元，較5月微減0.9％，但第2季營(yíng)收319.05億元，季增率達(dá)14.8％符合預(yù)期。 展望第3
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聯(lián)電Q2營(yíng)收季增14.85% 世界增11.9%
聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)、世界先進(jìn)(5347-TW)今(10)日同步公告6月?tīng)I(yíng)收數(shù)據(jù)，二者累計(jì)第2季營(yíng)收分別增14.85%、11.9%。 聯(lián)電今天公告6月?tīng)I(yíng)收為107.61億元，較5月略減0.94%，年增11.15%，累計(jì)第2季營(yíng)收319.048億元，較
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與臺(tái)積差距大/40nm挑戰(zhàn)多 德意志保守看聯(lián)電
聯(lián)電(2303)昨(8日)除息，雖在開(kāi)盤(pán)2分鐘內(nèi)一度完成填息，而外資美林也延續(xù)對(duì)聯(lián)電的樂(lè)觀，認(rèn)為其將在40奈米制程需求暢旺的趨勢(shì)中受惠，并將聯(lián)電目標(biāo)價(jià)喊至22元，不過(guò)，外資德意志今(9日)出具的最新報(bào)告，對(duì)聯(lián)電則是看法
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臺(tái)積電、聯(lián)電當(dāng)心！中芯再度進(jìn)軍日本搶食代工訂單
臺(tái)灣臺(tái)積電(2330)、聯(lián)電(2303)當(dāng)心了，中國(guó)大陸的中芯國(guó)際(SMIC)已再度進(jìn)軍日本市場(chǎng)搶奪晶片代工訂單!日經(jīng)新聞6月28日?qǐng)?bào)導(dǎo)，全球第5大晶圓代工廠中芯最高營(yíng)運(yùn)負(fù)責(zé)人(CEO)邱慈云接受專(zhuān)訪時(shí)表示，為了搶攻日本廠商的晶
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臺(tái)積電、聯(lián)電當(dāng)心！中芯再度進(jìn)軍日本搶食代工訂單
臺(tái)灣臺(tái)積電(2330)、聯(lián)電(2303)當(dāng)心了，中國(guó)大陸的中芯國(guó)際(SMIC)已再度進(jìn)軍日本市場(chǎng)搶奪晶片代工訂單！日經(jīng)新聞6月28日?qǐng)?bào)導(dǎo)，全球第5大晶圓代工廠中芯最高營(yíng)運(yùn)負(fù)責(zé)人(CEO)邱慈云接受專(zhuān)訪時(shí)表示，為了搶攻日本廠商的晶
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臺(tái)積電、聯(lián)電當(dāng)心！中芯再度進(jìn)軍日本搶食代工訂單
臺(tái)灣臺(tái)積電(2330)、聯(lián)電(2303)當(dāng)心了，中國(guó)大陸的中芯國(guó)際(SMIC)已再度進(jìn)軍日本市場(chǎng)搶奪晶片代工訂單！ 日經(jīng)新聞6月28日?qǐng)?bào)導(dǎo)，全球第5大晶圓代工廠中芯最高營(yíng)運(yùn)負(fù)責(zé)人(CEO)邱慈云接受專(zhuān)訪時(shí)表示，為了搶攻日本廠商的
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聯(lián)電攜手新思完成首個(gè)14nm FinFET制程驗(yàn)證工具設(shè)計(jì)定案
聯(lián)電與新思科技(Synopsys)共同宣布，兩家公司的合作已獲得成果，采用新思科技DesignWare邏輯庫(kù)的IP組合，和Galaxy實(shí)作平臺(tái)的一部分寄生StarRC萃取方案，成功完成聯(lián)電第一個(gè)14奈米FinFET制程驗(yàn)證工具的設(shè)計(jì)定案。在雙
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IC需求緊俏 聯(lián)電8寸晶圓廠受惠
產(chǎn)能吃緊，聯(lián)電(2303)股價(jià)持續(xù)走強(qiáng)。根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)最新公布資料，5月北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商訂單出貨比(B/B值)1.08，是連續(xù)五個(gè)月站在多空分界的1之上，分析師指出，這表示半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣持續(xù)處于復(fù)
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聯(lián)電完成14nm制程FinFET結(jié)構(gòu)晶體管芯片流片
在Synopsys 的協(xié)助下，臺(tái)灣聯(lián)電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測(cè)試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動(dòng)14nm制程FinFET產(chǎn)品的制造，而這次這款測(cè)試芯片完成流片設(shè)計(jì)則顯然向?qū)崿F(xiàn)
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聯(lián)電與Synopsys攜手加速14奈米FinFET制程開(kāi)發(fā)
晶圓代工大廠聯(lián)華電子(UMC，以下簡(jiǎn)稱(chēng)聯(lián)電)與全球半導(dǎo)體設(shè)計(jì)制造提供軟體、IP與服務(wù)的領(lǐng)導(dǎo)廠商新思科技(Synopsys)共同宣布兩家公司的合作已獲得成果，采用新思科技 DesignWare 邏輯庫(kù)的 IP 組合，和 Galaxy 實(shí)作平臺(tái)的
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潛力黑馬股／聯(lián)電 40納米旺 外資挺
產(chǎn)業(yè)評(píng)析：聯(lián)電（2303）是國(guó)內(nèi)第二大晶圓代工廠，也是行動(dòng)裝置概念股。 看好理由：雖然28納米發(fā)展進(jìn)度不如預(yù)期，但外資看好新興市場(chǎng)行動(dòng)裝置與IEEE802 11ac網(wǎng)通新產(chǎn)品市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，帶動(dòng)明年40納米制程高度成長(zhǎng)，
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節(jié)能賣(mài)電 聯(lián)電8A廠兩頭賺
絕大多數(shù)辦公空間，燈具開(kāi)關(guān)集中墻面，50個(gè)人辦公時(shí)燈全亮，1個(gè)人辦公時(shí)，一樣全亮，費(fèi)電耗能，其實(shí)，只要在每個(gè)人燈區(qū)，裝上拉式開(kāi)關(guān)，離開(kāi)座位關(guān)燈，節(jié)電效果就非常好。 聯(lián)華電子在竹科8A晶圓廠，辦公區(qū)燈具都做小
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聯(lián)電完成14nm制程FinFET結(jié)構(gòu)晶體管芯片流片
在Synopsys的協(xié)助下，臺(tái)灣聯(lián)電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測(cè)試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動(dòng)14nm制程FinFET產(chǎn)品的制造，而這次這款測(cè)試芯片完成流片設(shè)計(jì)則顯然向?qū)崿F(xiàn)這
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IC需求緊俏 聯(lián)電8寸晶圓廠受惠
產(chǎn)能吃緊，聯(lián)電（2303）股價(jià)持續(xù)走強(qiáng)。根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）最新公布資料，5月北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商訂單出貨比（B/B值）1.08，是連續(xù)五個(gè)月站在多空分界的1之上，分析師指出，這表示半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣持續(xù)
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聯(lián)電完成14nm制程FinFET結(jié)構(gòu)晶體管芯片流片
在Synopsys 的協(xié)助下，臺(tái)灣聯(lián)電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測(cè)試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動(dòng)14nm制程FinFET產(chǎn)品的制造，而這次這款測(cè)試芯片完成流片設(shè)計(jì)則顯然向?qū)崿F(xiàn)
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Synopsys EDA軟件助力 聯(lián)電完成14nm FinFET芯片流片
在Synopsys 的協(xié)助下，臺(tái)灣聯(lián)電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測(cè)試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動(dòng)14nm 制程FinFET產(chǎn)品的制造，而這次這款測(cè)試芯片完成流片設(shè)計(jì)則顯然向?qū)崿F(xiàn)
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聯(lián)電攜手新思 14nm設(shè)計(jì)定案采用Galaxy平臺(tái)
聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)與新思科技(Synopsys)(SNPS-US)共同宣布，兩家公司的合作已獲得成果，采用新思科技DesignWare邏輯庫(kù)的IP組合，和Galaxy實(shí)作平臺(tái)的一部分寄生StarRC萃取方案，成功完成聯(lián)電第一個(gè)14奈米FinFET制
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聯(lián)電完成14nm制程FinFET結(jié)構(gòu)晶體管芯片流片
在Synopsys 的協(xié)助下，臺(tái)灣聯(lián)電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測(cè)試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動(dòng)14nm制程FinFET產(chǎn)品的制造，而這次這款測(cè)試芯片完成流片設(shè)計(jì)則顯然向?qū)崿F(xiàn)
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IC需求緊俏 聯(lián)電8寸晶圓廠受惠
產(chǎn)能吃緊，聯(lián)電（2303）股價(jià)持續(xù)走強(qiáng)。根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）最新公布資料，5月北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商訂單出貨比（B/B值）1.08，是連續(xù)五個(gè)月站在多空分界的1之上，分析師指出，這表示半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣持續(xù)
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40nm需求趨緊俏，大摩大升聯(lián)電/中芯目標(biāo)價(jià)
隨著iPhone5、三星GalaxyS4等高階智慧型手機(jī)銷(xiāo)售不如預(yù)期，也讓市場(chǎng)轉(zhuǎn)而看好中、低階機(jī)種的成長(zhǎng)力道，并對(duì)晶圓代工40奈米制程的需求轉(zhuǎn)趨樂(lè)觀。外資大摩(MorganStanley)即出具最新報(bào)告，指出40奈米制程今年需求旺、估
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