聯(lián)電(UMC-US)(2303-TW)今(6)日公布2012 年第四季財務(wù)報告,營業(yè)收入為新臺幣260.9億元,與上季的新臺幣285.3億元相比降低8.5%,較2011年同期的新臺幣244.3億元成長6.8%。2012年全年每股賺0.63元,第四季每股賺0.09元
聯(lián)電新任執(zhí)行長顏博文。(鉅亨網(wǎng)記者尹慧中攝) 聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)新任執(zhí)行長顏博文今(6)日于法說回應(yīng)外界提問坦言,28奈米進度落后,今年下半年才看見個位數(shù)的貢獻。而在8吋部分應(yīng)用較強勁,通訊客戶需求也仍踴躍
聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)今(6)日舉辦法說。新任執(zhí)行長顏博文主持并預(yù)估出貨量將季增6%、本業(yè)損益兩平。聯(lián)電財務(wù)長劉啟東指出,在初??期納入和艦科技后總體表現(xiàn)仍有進步空間,今年第一季亞洲市場中來自中國大陸部分貢獻
聯(lián)電(2303)今(6日)召開法說會,展望今年Q1,聯(lián)電新任執(zhí)行長顏博文(見附圖)指出,Q1的晶圓出貨估計會季增6%、不過晶圓的產(chǎn)品ASP則會季減6%。而在本業(yè)的營業(yè)利益方面,則是勉強損平(break-even)。至于整體稼動率方面,
聯(lián)電(2303)今日召開法說會,公布財報。2012年第四季稅后凈利為11.7億元,季減51.5%,每股稅后獲利為0.09元。2012年全年EPS為0.63元。 聯(lián)電2012年第四季營收為260.9億元,季減8.5%,年增6.8%。單季毛利率為16.8%,比
晶圓代工大廠聯(lián)電(UMC)針對電源管理晶片應(yīng)用產(chǎn)品,推出了TPC電鍍厚銅制程,該解決方案系由聯(lián)華電子與臺灣封裝廠商頎邦科技共同開發(fā),跟傳統(tǒng)的鋁金屬層相比,可提供更厚的銅金屬層以達到更高的電流,更優(yōu)異的散熱效果
晶圓代工大廠聯(lián)電 (UMC)針對電源管理晶片應(yīng)用產(chǎn)品,推出了TPC 電鍍厚銅制程,該解決方案系由聯(lián)華電子與臺灣封裝廠商頎邦科技共同開發(fā),跟傳統(tǒng)的鋁金屬層相比,可提供更厚的銅金屬層以達到更高的電流,更優(yōu)異的散熱效
繼臺積電月初宣布與美商阿爾特拉(Altera)宣布共同開發(fā)3D IC晶片(3 Dimensional Integrated Circuit,立體堆疊積體電路)后,昨日,聯(lián)電也與新加坡半導(dǎo)體封測廠商星科金朋(STATS ChipPAC)宣布,展示全球第一件在
新臺幣今年以來貶值1.8%,這對半導(dǎo)體廠來說卻是個大大的好消息。德意志證券預(yù)估新臺幣1月以來的貶幅將帶動半導(dǎo)體廠毛利率上升1.2個百分點,其中受惠程度最好的有聯(lián)電、臺積電、欣興、立锜、矽品等5大廠。在晶圓代工方
聯(lián)電(2303)新任執(zhí)行長顏博文上任2個月以來積極強化研發(fā)部門,業(yè)界傳出他成功延攬清大材料工程教授游萃蓉回鍋,擔(dān)任聯(lián)電研發(fā)部門高階主管,與現(xiàn)任聯(lián)電工程暨矽智財研發(fā)設(shè)計支援副總簡山杰,挑起28奈米重任,加速聯(lián)電
聯(lián)電 (UMC)與新加坡半導(dǎo)體封測廠商星科金朋 (STATS ChipPAC)共同發(fā)表號稱全球第一件在開放式供應(yīng)鏈環(huán)境下合作開發(fā)的內(nèi)嵌矽穿孔(TSV) 3D IC技術(shù)。兩家公司所展示的3D晶片堆疊,由Wide I/O記憶體測試晶片和內(nèi)嵌TSV的28
聯(lián)電 (2303)2012年全年營收在28 奈米仍未能放量的情況下,微幅年增0.11%來到1059.98億元。而在聯(lián)電2月6日舉辦法說會前夕,BNP(法銀巴黎證)搶先出具最新報告,看淡聯(lián)電今年的獲利表現(xiàn),指出即使去年基期低,聯(lián)電今年的
晶圓代工廠聯(lián)電(2303)與新加坡封測大廠星科金朋(STATS ChipPAC)昨(29)日宣布結(jié)盟,并展示全球第一件在開放式供應(yīng)鏈環(huán)境下,合作開發(fā)的直通矽晶穿孔(TSV)3D IC技術(shù)。業(yè)界認(rèn)為,28奈米以下先進制程朝向3D IC發(fā)
【蕭文康╱臺北報導(dǎo)】繼臺積電(2330)月初宣布與美商阿爾特拉(Altera)宣布共同開發(fā)3D IC晶片(3 Dimensional Integrated Circuit,立體堆疊積體電路)后,昨聯(lián)電(2303)也與新加坡半導(dǎo)體封測廠商星科金朋(STATS
聯(lián)電 (2303)與新加坡半導(dǎo)體封測廠商星科金朋( STATS ChipPAC )今(29日)共同宣布,展示全球第一件在開放式供應(yīng)鏈環(huán)境下合作開發(fā)的內(nèi)嵌矽穿孔(TSV) 3D IC技術(shù)。聯(lián)電指出,所展示的3D晶片堆疊,是由Wide I/O記憶體測試晶
聯(lián)華電子與ASIC設(shè)計服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商智原科技日前共同宣布,雙方因應(yīng)客戶需求,已經(jīng)完成并交付3億邏輯閘(300-milliongatecount)系統(tǒng)單芯片解決方案。此款高復(fù)雜度SoC的產(chǎn)出,主要奠基于雙方豐富的設(shè)計、生產(chǎn)經(jīng)驗、先進的
近日,聯(lián)華電子與ASIC設(shè)計服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商智原科技日前共同宣布,雙方因應(yīng)客戶需求,已經(jīng)完成并交付3億邏輯閘(300-million gate count)系統(tǒng)單芯片解決方案。此款高復(fù)雜度SoC的產(chǎn)出,主要奠基于雙方豐富的設(shè)計、生產(chǎn)經(jīng)驗
晶圓代工廠聯(lián)電(2303)及旗下IC設(shè)計服務(wù)廠智原(3035)昨(22)日共同宣布,雙方因應(yīng)客戶需求,已經(jīng)完成并交付3億邏輯閘(300-million gate count)的系統(tǒng)單晶片(SoC),在高階通訊應(yīng)用市場再下一城。據(jù)了解,該款
晶圓代工廠聯(lián)電(2303)及旗下IC設(shè)計服務(wù)廠智原(3035)昨(22)日共同宣布,雙方因應(yīng)客戶需求,已經(jīng)完成并交付3億邏輯閘(300-million gate count)的系統(tǒng)單芯片(SoC),在高階通訊應(yīng)用市場再下一城。據(jù)了解,該款
2012年智能手機、平板電腦需求發(fā)展速度大幅高于市場預(yù)期,當(dāng)時只有臺積電有28奈米製程產(chǎn)能供應(yīng),但產(chǎn)能嚴(yán)重不足引發(fā)高通(Qualcomm)、NVIDIA、超微(AMD)、賽靈思(Xilinx)等大客戶嚴(yán)重抗議,且還躍上媒體表示臺積電28奈