新型RAM借力超容技術(shù)實現(xiàn)斷電數(shù)據(jù)永存，存儲領(lǐng)域迎來革命性突破

在數(shù)字時代，存儲器是電子設(shè)備的核心基石，而數(shù)據(jù)在斷電后的存續(xù)能力與訪問效率，始終是行業(yè)追求的核心目標(biāo)。傳統(tǒng)隨機存取存儲器(RAM)雖具備高速讀寫優(yōu)勢，卻因易失性缺陷，斷電后數(shù)據(jù)即刻丟失，需依賴額外存儲介質(zhì)備份;非易失性存儲器如Flash、EEPROM雖能保存數(shù)據(jù)，卻存在讀寫速度慢、擦寫壽命短等瓶頸。如今，新型RAM融合超級電容(超容)技術(shù)與創(chuàng)新存儲原理，成功打破這一固有矛盾，實現(xiàn)斷電時數(shù)據(jù)安全留存，為存儲領(lǐng)域帶來顛覆性變革。