過(guò)渡金屬二硫化物成為未來(lái)晶體管開發(fā)的重要材料

電子工程師不斷嘗試開發(fā)更薄、更高效和性能更好的晶體管，這是大多數(shù)現(xiàn)代電子產(chǎn)品的核心半導(dǎo)體器件。為此，他們一直在評(píng)估各種材料的潛力。過(guò)渡金屬二硫化物 (TMD) 是一種基于過(guò)渡金屬和硫?qū)僭氐幕衔?，具有非常有吸引力的電子和機(jī)械性能，使其成為開發(fā)未來(lái)幾代晶體管的有前途的候選者。最值得注意的是，它們具有原子級(jí)薄結(jié)構(gòu)，沒(méi)有懸空鍵和類似于硅的帶隙。