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深度分析如何提高太陽能逆變器轉換效率
功率開關的兩個選擇是MOSFET和 IGBT。一般而言，MOSFET比IGBT可以工作在更高的開關頻率下。此外，還必須始終考慮體二極管的影響：在升壓級的情況下并沒有什么問題，因為正常工作模式下體二極管不導通。MOSFET的導通損耗可根據導通阻抗RDS(ON)來計算，對于給定的MOSFET 系列，這與有效裸片面積成比例關系。當額定電壓從600V 變化到1200V時，MOSFET的傳導損耗會大大增加，因此，即使額定RDS(ON) 相當，1200V的 MOSFET也不可用或是價格太高。
