目前工業(yè)、醫(yī)療、天文和軍事對(duì)近紅外探測(cè)和成像有大量需求,本文介紹了一種響應(yīng)近紅外的新型高增益GaAs/InGaAs量子光電探測(cè)器。首先測(cè)試和討論了探測(cè)器的I-V特性,探測(cè)器偏壓為-1.5V時(shí)響應(yīng)率大于10A/W,響應(yīng)率隨光照功率增大減小。
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