在現(xiàn)代電力電子領域,碳化硅(SiC)MOSFET 憑借其卓越的性能,如高開關速度、低導通電阻、高耐壓能力等,正逐漸成為眾多應用的首選功率器件。然而,正是由于這些獨特的性能特點,使得碳化硅 MOSFET 在實際應用中面臨著一些特殊的挑戰(zhàn),其中米勒效應帶來的影響尤為突出,這也使得米勒鉗位對于碳化硅 MOSFET 顯得特別重要。
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