MOS高端驅(qū)動(dòng)與低端驅(qū)動(dòng)的技術(shù)解析及應(yīng)用實(shí)踐

在電力電子系統(tǒng)中，MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的驅(qū)動(dòng)方式直接決定了系統(tǒng)的效率、可靠性與安全性。高端驅(qū)動(dòng)與低端驅(qū)動(dòng)作為兩種核心的MOS管控制架構(gòu)，其本質(zhì)差異源于開(kāi)關(guān)元件在電路中的位置布局，這一差異進(jìn)一步衍生出驅(qū)動(dòng)原理、性能特性與應(yīng)用場(chǎng)景的顯著區(qū)別。本文將從核心定義出發(fā)，深入剖析兩者的技術(shù)特性、選型邏輯與實(shí)踐要點(diǎn)，為電路設(shè)計(jì)提供參考。