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我要報(bào)錯(cuò)

  • 美光3D NAND采用替代柵極架構(gòu)：明年將量產(chǎn)

    存儲(chǔ)行業(yè)隨著物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的來(lái)臨也迎來(lái)了一波新的發(fā)展機(jī)遇，近日，根據(jù)最新消息顯示，美系存儲(chǔ)巨頭，美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片，新一代產(chǎn)品基于美光全新研發(fā)的替代柵極架構(gòu)，將于明年開(kāi)始小范圍量產(chǎn)