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“小顯存，大模型”國數(shù)集聯(lián)解讀如何降低AI普惠門檻
當(dāng)行業(yè)普遍在為部署一套千億參數(shù)大模型而堆砌數(shù)百GB HBM顯存、配置多臺高端GPU服務(wù)器時，一個更現(xiàn)實(shí)的問題擺在中小企業(yè)面前：如何在有限預(yù)算內(nèi)，安全、高效地本地化運(yùn)行這些模型？國數(shù)集聯(lián)嘗試從“運(yùn)力”的角度給出方案——用更經(jīng)濟(jì)的DDR內(nèi)存和CXL互聯(lián)技術(shù)，緩解對昂貴顯存的依賴，讓“小顯存”也能跑起“大模型”。
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Bourns 推出符合 AEC-Q200 標(biāo)準(zhǔn)車規(guī)級薄膜片狀電阻，提供更高的電阻公差精度和溫度系數(shù) (TCR)
Bourns? CRT-A 系列滿足了汽車、手機(jī)、SD卡、DDR內(nèi)存和相機(jī)模塊等應(yīng)用需求對小型、高精度電阻的日益增長。
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DDR內(nèi)存會很快被HBM內(nèi)存淘汰嗎？
這一年來有關(guān)國內(nèi)公司進(jìn)軍內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的消息甚囂塵上，紫光公司憑借原有的英飛凌、奇夢達(dá)基礎(chǔ)在DDR3內(nèi)存上已經(jīng)作出了突破，小批量生產(chǎn)了DDR3內(nèi)存，下半年還會推出更主流的DDR4內(nèi)存芯片，正在努力追趕國際主流水平。但是放眼整個內(nèi)存市場，DDR5內(nèi)存很快就要來了，更可怕的是未來即便是DDR5內(nèi)存也很可能被更新的技術(shù)淘汰，業(yè)界已經(jīng)有人提出了DDR內(nèi)存將死的看法，未來需要高帶寬的產(chǎn)品將轉(zhuǎn)向HBM內(nèi)存，2020年會有HBM 3內(nèi)存，2024年則會有HBM 4內(nèi)存，屆時帶寬可達(dá)8TB/s，單插槽容量可達(dá)512GB。
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