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美光認(rèn)為DRAM價(jià)格將持續(xù)高位，這是在說(shuō)電腦還要漲價(jià)？
美光2017年第3季財(cái)報(bào)營(yíng)收大幅優(yōu)于預(yù)期，這要因DRAM、NAND Flash價(jià)格上漲，美光認(rèn)為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)需求穩(wěn)定，價(jià)格可穩(wěn)定維持至2018年下半年。法人表示，國(guó)內(nèi)相關(guān)個(gè)股中，華邦電目前DRAM產(chǎn)能約22K，估下半年 DRAM價(jià)格維持高檔，2018年上半年在供給改善后將趨緩，因此維持族群中立建議。
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供不應(yīng)求 存儲(chǔ)器產(chǎn)品價(jià)格依然在上漲
隨著應(yīng)用不斷擴(kuò)大，及系統(tǒng)產(chǎn)品內(nèi)建容量持續(xù)擴(kuò)增，今年來(lái)半導(dǎo)體硅晶圓、磊晶與內(nèi)存等多項(xiàng)產(chǎn)品市況熱絡(luò)，在供應(yīng)持續(xù)吃緊下，各項(xiàng)產(chǎn)品下半年價(jià)格依然看漲。
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提高存儲(chǔ)器子系統(tǒng)效率的三種方法
行業(yè)專家認(rèn)為，對(duì)于一個(gè)典型的大型數(shù)據(jù)中心而言，其50億美元成本的80%左右會(huì)用在設(shè)備的機(jī)械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對(duì)于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器，高功率密度的原因之一在于存儲(chǔ)器子系統(tǒng)。
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美光計(jì)劃斥資20億美在廣島量產(chǎn)新世代DRAM
據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo)，美光科技計(jì)劃未來(lái)二至三年斥資20億美元，在位在日本廣島的工廠量產(chǎn)主要應(yīng)用在智能手機(jī)、數(shù)據(jù)中心和自駕車的新世代DRAM。報(bào)導(dǎo)指出，美光已在這座廠房?jī)?nèi)增設(shè)
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直接總線式DRAM的信號(hào)連接
Direct Rambus DRAM的信號(hào)連接關(guān)系如圖所示。與DDR-SDRAM最大的不同在于信號(hào)線是漏極開路輸出以及時(shí)鐘是以連續(xù)不斷的方式往復(fù)的。 圖 Direct Rambus DRAM的信號(hào)連接關(guān)系
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新興內(nèi)存技術(shù)搶占市場(chǎng)，抗衡DRAM、NAND Flash還是太嫩？
內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一，目前主要由動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項(xiàng)產(chǎn)品。
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數(shù)據(jù)中心是存儲(chǔ)器價(jià)格上漲的導(dǎo)火索？
2017年4~6月的主要電子零組件與材料交易價(jià)，以存儲(chǔ)器為中心，包括DRAM等揮發(fā)性存儲(chǔ)器以及NAND Flash與硬盤等非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，呈現(xiàn)持續(xù)走揚(yáng)，除了智能型手機(jī)與個(gè)人電腦(PC)需求外，4K電視與數(shù)據(jù)中心需求也帶動(dòng)相關(guān)市場(chǎng)。
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挖來(lái)臺(tái)灣DRAM教父,紫光要打破韓國(guó)NAND壟斷
高啟全表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
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傳三星決定擴(kuò)產(chǎn)DRAM
三星電子的韓國(guó)華城廠(Hwaseong)，即將擴(kuò)產(chǎn)的傳聞延燒許久。最新消息顯示，三星決定投資 3 萬(wàn)億韓元(約 26.4 億美元)提升 DRAM 產(chǎn)能。不過(guò)由于未來(lái) 11 線不再生產(chǎn) DRAM，產(chǎn)
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后PC時(shí)代 移動(dòng)型DRAM成市場(chǎng)主力
三星挾帶存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)龍頭優(yōu)勢(shì)，本季營(yíng)收可望超越英特爾而榮登半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)王座，證明了后PC時(shí)代的到來(lái)，隨著移動(dòng)產(chǎn)業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)及智能汽車產(chǎn)業(yè)興起，讓原先并未擴(kuò)產(chǎn)的存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)成為炙手可熱的領(lǐng)域，也使得三星更加壯大。
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存儲(chǔ)設(shè)備漲價(jià)優(yōu)勢(shì) 三星半導(dǎo)體事業(yè)部躍居龍頭位置指日可待
三星挾帶存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)龍頭優(yōu)勢(shì)，本季營(yíng)收可望超越英特爾而榮登半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)王座，證明了后PC時(shí)代的到來(lái)，隨著移動(dòng)產(chǎn)業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)及智能汽車產(chǎn)業(yè)興起，讓原先并未擴(kuò)產(chǎn)的存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)
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論三星芯片業(yè)務(wù)是怎樣成為市場(chǎng)主導(dǎo)力量的
半導(dǎo)體業(yè)務(wù)正為三星電子創(chuàng)造源源不斷的利潤(rùn)，但是該公司在40多年前進(jìn)軍芯片行業(yè)時(shí)并非一帆風(fēng)順。
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一文通解基于VLT技術(shù)的新型DRAM內(nèi)存單元
OFweek電子工程網(wǎng)訊 垂直分層閘流體(Vertical Layered Thyristor;VLT)，是Kilopass研發(fā)出的新型內(nèi)存單元，能夠顯著降低動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)的成本和復(fù)雜性。這是一種靜
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5G來(lái)臨 帶動(dòng)內(nèi)存大需求
力晶集團(tuán)執(zhí)行長(zhǎng)黃崇仁表示，第五代行動(dòng)通訊(5G)快速興起，將啟動(dòng)大量影像傳輸需求，加上汽車電子及云端服務(wù)器快速成長(zhǎng)，將開啟另一波內(nèi)存(DRAM和Flash)強(qiáng)勁需求，但供給端都遭遇程技術(shù)瓶頸，預(yù)料明年DRAM還是會(huì)缺貨。
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你以為NAND Flash降價(jià)了，手機(jī)就便宜了？別逗了！
Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會(huì)開始呈現(xiàn)反轉(zhuǎn)，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價(jià)格會(huì)在 2018 年出現(xiàn)明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個(gè)相對(duì)低點(diǎn)。
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朝鮮半島局勢(shì)變化恐將影響全球DRAM產(chǎn)業(yè)
近日，美國(guó)一支從新加坡起航的航母戰(zhàn)斗群引發(fā)全球關(guān)注。據(jù)悉，該航母群原先準(zhǔn)備前往澳大利亞，后突然掉頭向朝鮮半島駛進(jìn)，引人遐想。
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如何連接直接總線式DRAM的信號(hào)？
Direct Rambus DRAM的信號(hào)連接關(guān)系如圖所示。與DDR-SDRAM最大的不同在于信號(hào)線是漏極開路輸出以及時(shí)鐘是以連續(xù)不斷的方式往復(fù)的。 圖 Direct Rambus DRAM的信號(hào)連接關(guān)系
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3D DRAM幫助延長(zhǎng)DRAM存儲(chǔ)器的使用壽命
平面DRAM是內(nèi)存單元數(shù)組與內(nèi)存邏輯電路分占兩側(cè)，3D Super-DRAM則是將內(nèi)存單元數(shù)組堆棧在內(nèi)存邏輯電路的上方，因此裸晶尺寸會(huì)變得比較小，每片晶圓的裸晶產(chǎn)出量也會(huì)更多;這意味著3D Super-DRAM的成本可以低于平面DRAM。
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材料短缺，電子業(yè)關(guān)鍵零組件淡季不降反漲
PCB有“電子產(chǎn)品之母”之稱，面對(duì)諸多關(guān)鍵材料銅箔基板、銅箔等報(bào)價(jià)持續(xù)走高，業(yè)界盛傳，硬板大廠今年罕見在淡季提高報(bào)價(jià)，外傳漲幅逾三成不等。
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打造臺(tái)灣DRAM中心 美光27億買下達(dá)鴻廠房
美光昨日以新臺(tái)幣27.52億元標(biāo)下TPK-KY宸鴻轉(zhuǎn)投資公司達(dá)鴻臺(tái)中廠房。美光表示，標(biāo)下的臺(tái)中廠房未來(lái)將用于DRAM先進(jìn)封測(cè)技術(shù)發(fā)展，與美光中科及華亞科廠房進(jìn)行資源整合，打造中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)DRAM中心。
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