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先進工藝節(jié)點下Calibre的DRC/LVS檢查與物理驗證修復流程
在5nm及以下先進工藝節(jié)點中，集成電路物理驗證面臨三維FinFET結(jié)構(gòu)、多重曝光技術等復雜挑戰(zhàn)。Calibre作為業(yè)界主流的物理驗證工具，通過其DRC（設計規(guī)則檢查）與LVS（版圖與原理圖一致性檢查）功能，成為確保芯片可制造性的核心環(huán)節(jié)。本文以TSMC 5nm工藝為例，系統(tǒng)闡述基于Calibre的驗證流程與修復策略。
在5nm及以下先進工藝節(jié)點中，集成電路物理驗證面臨三維FinFET結(jié)構(gòu)、多重曝光技術等復雜挑戰(zhàn)。Calibre作為業(yè)界主流的物理驗證工具，通過其DRC（設計規(guī)則檢查）與LVS（版圖與原理圖一致性檢查）功能，成為確保芯片可制造性的核心環(huán)節(jié)。本文以TSMC 5nm工藝為例，系統(tǒng)闡述基于Calibre的驗證流程與修復策略。
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