日本黄色一级经典视频|伊人久久精品视频|亚洲黄色色周成人视频九九九|av免费网址黄色小短片|黄色Av无码亚洲成年人|亚洲1区2区3区无码|真人黄片免费观看|无码一级小说欧美日免费三级|日韩中文字幕91在线看|精品久久久无码中文字幕边打电话

<p id="g9479"><form id="g9479"><blockquote id="g9479"></blockquote></form></p>

<ruby id="g9479"></ruby><menuitem id="g9479"></menuitem>

<span id="g9479"><progress id="g9479"></progress></span>

<noframes id="k84c6"></noframes><noframes id="k84c6"><code id="k84c6"></code></noframes>

Exagan

關注1人關注

我要報錯

ST 和Exagan開啟GaN發(fā)展新篇章

氮化鎵(GaN)是一種III-V族寬能隙化合物半導體材料，能隙為3.4 eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率分別為1.1 eV和1,400 cm2/Vs。

意法半導體
2021-09-07

氮化鎵 ST Exagan
意法半導體收購氮化鎵創(chuàng)新企業(yè)Exagan的多數(shù)股權

此次收購將大幅提高意法半導體在汽車、工業(yè)和消費級高頻大功率GaN的技術積累、擴大其開發(fā)計劃和業(yè)務

意法半導體
2020-03-06

收購 exagan 氮化鎵

<button id="wckko"></button><sup id="wckko"></sup>