半導(dǎo)體技術(shù)逼近物理極限,扇出型晶圓級(jí)封裝(FOWLP)憑借其高I/O密度、小型化潛力與系統(tǒng)級(jí)集成能力,成為延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵技術(shù)。然而,隨著封裝結(jié)構(gòu)復(fù)雜度指數(shù)級(jí)增長,從重布線層(RDL)的可靠性到應(yīng)力遷移的仿真驗(yàn)證,F(xiàn)OWLP正面臨多重可靠性挑戰(zhàn)。這些挑戰(zhàn)不僅源于材料熱膨脹系數(shù)不匹配、工藝缺陷積累,更涉及多物理場耦合作用下的長期失效機(jī)制。